[发明专利]电容阵列、电容与电容阵列布局方法有效

申请号：	200710107732.0	申请日：	2007-04-28
公开（公告）号：	CN101097913A	公开（公告）日：	2008-01-02
发明（设计）人：	陈弘易	申请（专利权）人：	联发科技股份有限公司
主分类号：	H01L27/00	分类号：	H01L27/00;H01L23/522
代理公司：	北京三友知识产权代理有限公司	代理人：	任默闻
地址：	台湾省新竹***	国省代码：	中国台湾;71
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摘要：	本发明提供一种电容阵列，其包括多个单位电容，每一单位电容具有第一与第二电极板，第一电极板通过第一绕线共同相接，第二电极板则分群并通过第二绕线连接至多个节点，连接至不同节点的第二绕线在电容阵列内彼此没有重叠，连接至同一节点的第二电极板聚集(conglomerate)为一群组且在该群组内并无连接至其它节点的第二电极板。此电容阵列布局可使电容阵列中由绕线产生的寄生电容最小化，使得电容阵列内的各次电容之间的二进制加权的比例关系维持得较为精准，此电容阵列排列也能使系统性或随机性的匹配失衡最小化。
搜索关键词：	电容阵列布局方法
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【主权项】：

1.一种电容阵列，该电容阵列包括：多个单位电容，每一单位电容具有第一与第二电极板，其特征在于，所述的第一电极板通过第一绕线共同相接，所述的第二电极板则分群并通过多个第二绕线连接至多个节点，所述的多个连接至不同节点的第二绕线在所述的电容阵列内彼此没有重叠，所述的多个连接至同一节点的第二电极板聚集为一次电容，且在所述的次电容内并没有连接至其它节点的第二电极板。

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摘要：一种照明装置、例如呈现三维对象的刹车灯组件包括多个微型发光二极管管芯，每个微型发光二极管管芯的尺寸约为0.2mm×0.2mm。微型发光二极管管芯被布置在印刷电路板或柔性电路的连续表面上。每个微型发光二极管管芯能够由控制器单独或成组寻址以用于调节亮度和/或颜色，并且控制器被配置成以一个或多个不同的图案点亮多个微型发光二极管管芯，以显现为三维对象。控制器被配置成以时变图案来使三维对象动画化，该时变图案例如可以使三维对象显现成移入电路上的平面或与电路平行的平面中或者从所述表面中移出。可以以跳动的图案使三维对象动画化，这可以使其更有趣或增强相关的信号发送状况的可见性。

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摘要：一种半导体封装结构及其封装方法，该半导体封装结构包括：芯片(20)，包括裸片，裸片的第一面上设置有信号源；裸片上与第一面相对的第二面上设置有第一金属层(26)，裸片两面的结构通过过孔一一对应连接；基板(10)，与芯片(20)层叠设置，且基板(10)上设置有信号管脚，其中，信号管脚通过焊接件与第一金属层(26)连接。在上述技术方案中，通过焊接的方式将芯片(20)与基板(10)电连接，提高了基板(10)与芯片(20)之间的连接强度。此外，通过采用焊接的方式，精度高，便于器件小型化后部件的连接。

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摘要：本发明公开用于集成电路的薄膜电阻设备，包括薄膜电阻设备的集成电路。如薄膜电阻传感器通常包括多个电阻元件。这些部件应当良好匹配，以便传感器提供准确的读数。当传感器结合在集成电路内时，电阻元件可以形成在形成其它部件的一部分的金属迹线上方或下方。结果，薄膜电阻部件经受不同水平的应力。本公开提供了一种被布置为减轻应力的影响的结构。

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摘要：本发明公开了一种光学器件制造方法，所述方法包括：从半导体衬底除去半导体材料以形成第一曲面和第二曲面，在所述第一曲面上形成粘结材料，以及从所述第一和第二曲面中的至少一者选择性除去半导体材料以形成一个或多个亚波长结构。所述半导体衬底具有与所述半导体材料的带隙能相关的带隙波长。所述光学器件折射某些入射电磁辐射和/或过滤其他电磁辐射。所述被折射的辐射包括比所述带隙波长长的红外波长，并且所述被过滤的辐射包括比所述带隙波长短的波长。

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申请日： 2011-12-23 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H01L27/00
摘要：工艺可调式电阻器通过在制造过程期间调节电阻器的元件而制造。该元件包括接脚、线匝、以及诸如平行的子接脚的元件，其在制造过程中被调节以提供特定用户定义的电阻值。该工艺可调式电阻器提供固定接触点以便支持预先存在或定义电路设计。

共用衬底上的功率裝置集成-201380051393.2
发明人：杰席克·寇瑞克;杨铂仪 -专利权人：矽澜纳股份有限公司
申请日： 2013-07-16 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L27/00
摘要：本发明涉及一种用于促进共用衬底上的功率装置集成的半导体结构，其包含：第一绝缘层，其形成于所述衬底上；及作用区域，其具有第一导电性类型，形成于所述第一绝缘层的至少一部分上。第一端子形成于所述结构的上部表面上，且与形成于所述作用区域中的具有所述第一导电性类型的至少一个其它区域电连接。具有第二导电性类型的隐埋式阱形成于所述作用区域中且与形成于所述结构的所述上部表面上的第二端子耦合。所述隐埋式阱与所述作用区域形成箝位二极管，所述箝位二极管将击穿雪崩区域定位于所述隐埋式阱与所述第一端子之间。所述功率装置中的至少一者的击穿电压随所述隐埋式阱的特性而变。

集成电路装置以及识别外部信号路径内存在断开连接的方法-201180073113.9
发明人：迈克尔·罗勒德;恩斯特·埃德霍兹;伯恩哈德·布劳恩;弗兰克·唐纳 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2011-08-31 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： H01L27/00
摘要：集成电路装置(700、800)包括至少一个连接识别模块(740)。所述至少一个连接识别模块(740)被布置成确定所述集成电路装置(700、800)的至少一个外部信号路径(720)的初始感测状态，导致所述至少一个外部信号路径被拉向相对于其所述初始感测状态的相反状态，确定所述集成电路装置(700、800)的所述至少一个外部信号路径(720)的新感测状态以及如果所述至少一个外部信号路径(720)的所述新感测状态不匹配所述至少一个外部信号路径(720)的所述初始感测状态，则识别所述至少一个外部信号路径(720)内存在断开的连接。

半导体模块及其形成方法-201280068875.4
发明人：吴毅锋;芮成海 -专利权人：创世舫电子有限公司
申请日： 2012-12-03 - 公布日： 2014-11-19 - 主分类号： H01L27/00
摘要：描述了电子模块以及形成和操作该模块的方法。模块包括电容器、第一开关器件和第二开关器件。电子模块进一步包括诸如DBC基板的基板，其包括在第一金属层和第二金属层之间的绝缘层，并且可以包括彼此堆叠的多层DBC基板。第一金属层包括通过贯穿在两个部分之间的第一金属层形成的沟槽而彼此隔开的第一部分和第二部分。第一和第二开关器件在第一金属层上方，并且电容器的第一端子电连接到第一金属层的第一部分，并且电容器的第二端子电连接到第一金属层的第二部分，并且电容器在沟槽上延伸。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的

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[发明专利]电容阵列、电容与电容阵列布局方法有效

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