[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

一种半导体装置及其制造方法，半导体装置包含第一晶圆及第二晶圆。半导体装置包含密封环结构，其包含在第一晶圆的主体内的第一金属结构、在第一晶圆的主体内的第二金属结构、在第二晶圆的主体内的第三金属结构及金属接合结构。金属接合结构包括透过第一晶圆及第二晶圆之间的界面连接第一金属结构及第三金属结构的第一金属元件组，以及透过第一晶圆及第二晶圆之间的界面连接第二金属结构及第三金属结构的第二金属元件组。

技术领域

本揭露是关于一种半导体装置及其制造方法，特别是关于一种包含密封环结构的半导体装置及其制造方法。

背景技术

半导体装置，例如互补式金属氧化物半导体(complementary metal-oxide-semiconductor，CMOS)集成电路(例如CMOS影像感测器)，可包含多个半导体晶粒，其是彼此堆叠。一般而言，此半导体装置包含密封环结构。密封环结构是形成在切割道(scribeline)及半导体装置电路之间，且是部分设计为用来减少或防止当剪切或切割半导体装置的晶圆时发生晶圆的破裂。

发明内容

本揭露的一态样是提供一种半导体装置。半导体装置包含第一晶圆。半导体装置包含第二晶圆。半导体装置包含密封环结构，其包含在第一晶圆的主体内的第一金属结构、在第一晶圆的主体内的第二金属结构、在第二晶圆的主体内的第三金属结构及金属接合结构。金属接合结构包括透过第一晶圆及第二晶圆之间的界面连接第一金属结构及第三金属结构的第一金属元件组，以及透过第一晶圆及第二晶圆之间的界面连接第二金属结构及第三金属结构的第二金属元件组。

本揭露的另一态样是提供一种半导体装置的制造方法。方法包含形成第一金属结构及第二金属结构在第一晶圆的主体内。方法包含形成第三金属结构在第二晶圆的主体内。方法包含形成自第一晶圆的顶表面延伸至第一金属结构的第一金属元件组。方法包含形成自第一晶圆的顶表面延伸至第二金属结构的第二金属元件组。方法包含形成自第二晶圆的顶表面延伸至第三金属结构的第三金属元件组及第四金属元件组。方法包含接合第一晶圆的顶表面至第二晶圆的顶表面，以使第一金属元件组接合第三金属元件组，且第二金属元件组接合第四金属元件组。

本揭露的再一态样是提供一种半导体装置。装置包含第一晶圆，其包括第一金属结构及第二金属结构，且第二金属结构相邻于第一金属结构。装置包含第二晶圆，其包括第三金属结构。装置包含金属接合结构，其包括连接第一金属结构至第三金属结构的第一金属元件组，及连接第二金属结构至第三金属结构的第二金属元件组，其中菊链密封环结构是通过第一金属结构、第一金属元件组、第三金属结构、第二金属元件组及第二金属结构形成在第一晶圆及第二晶圆内。

附图说明

根据以下详细说明并配合附图阅读，使本揭露的态样获致较佳的理解。需注意的是，如同业界的标准作法，许多特征并不是按照比例绘示的。事实上，为了进行清楚讨论，许多特征的尺寸可以经过任意缩放。

图1是绘示本揭露所应用的系统及/或方法的例示环境示意图；

图2是绘示本揭露所述的例示半导体装置的示意图；

图3A至图3C是绘示本揭露所述的例示实施例的示意图；

图4A至图4C是绘示本揭露所述的例示实施例的示意图；

图5A至图5C是绘示本揭露所述的例示实施例的示意图；

图6A至图6F是绘示本揭露所述的例示半导体结构的示意图；

图7A至图7I是绘示本揭露所述的例示半导体结构的示意图；

图8是绘示图1的一或多个装置的例示元件的示意图；

图9是绘示关于形成菊链密封环结构的例示制程的流程图。

【符号说明】

100:环境