[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包含：

一第一晶圆；

一第二晶圆；以及

一密封环结构，包含：

一第一金属结构，在该第一晶圆的一主体内；

一第二金属结构，在该第一晶圆的该主体内；

一第三金属结构，在该第二晶圆的一主体内；以及

一金属接合结构，包括：

一第一金属元件组，透过一界面连接该第一金属结构及该第三金属结构，其中该界面是介于该第一晶圆及该第二晶圆之间；以及

一第二金属元件组，透过该界面连接该第二金属结构及该第三金属结构，其中该界面是介于该第一晶圆及该第二晶圆之间。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该密封环结构还包含：

一第四金属结构，在该第一晶圆的该主体内；以及

一第五金属结构，在该第二晶圆的该主体内，

且该金属接合结构还包含：

一第三金属元件组，透过该界面连接该第二金属结构及该第五金属结构，其中该界面是介于该第一晶圆及该第二晶圆之间；以及

一第四金属元件组，透过该界面连接该第五金属结构及该第四金属结构，其中该界面是介于该第一晶圆及该第二晶圆之间。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第一金属元件组或该第二金属元件组的一金属元件特定组包含：

一第一金属元件，自该第一晶圆的该主体内的该第一金属结构或该第二金属结构延伸至该界面；以及

一第二金属元件，自该第二晶圆的该主体内的该第三金属结构延伸至该界面，其中该第一金属元件在该界面连接该第二金属元件，且该界面是介于该第一晶圆及该第二晶圆之间。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该密封环结构包含一测试图案的至少一部分，其中该测试图案是关于进行一晶圆测试。

5.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包含：

形成一第一金属结构及一第二金属结构在一第一晶圆的一主体内；

形成一第三金属结构在一第二晶圆的一主体内；

形成一第一金属元件组，其中该第一金属元件组自该第一晶圆的一顶表面延伸至该第一金属结构；

形成一第二金属元件组，其中该第二金属元件组自该第一晶圆的该顶表面延伸至该第二金属结构；

形成一第三金属元件组及一第四金属元件组，其中该第三金属元件组及该第四金属元件组自该第二晶圆的一顶表面延伸至该第三金属结构；以及

接合该第一晶圆的该顶表面至该第二晶圆的该顶表面，以使该第一金属元件组接合至该第三金属元件组，且该第二金属元件组接合至该第四金属元件组。

6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，还包含：

形成一第四金属结构在该第一晶圆的该主体内；

形成一第五金属结构在该第二晶圆的该主体内；

形成一第五金属元件组，其中该第五金属元件组自该第一晶圆的该顶表面延伸至该第二金属结构；

形成一第六金属元件组，其中该第六金属元件组自该第一晶圆的该顶表面延伸至该第四金属结构；以及

形成一第七金属元件组及一第八金属元件组，其中该第七金属元件组及该第八金属元件组自该第二晶圆的该顶表面延伸至该第五金属结构，其中该第一晶圆的该顶表面是接合该第二晶圆的该顶表面，以使该第五金属元件组接合至该第七金属元件组，且该第六金属元件组接合至该第八金属元件组。

7.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在该第一金属元件组、该第二金属元件组、该第三金属元件组或该第四金属元件组的一金属元件组内的一金属元件的一形状或一尺寸是不同于在该第一金属元件组、该第二金属元件组、该第三金属元件组或该第四金属元件组的另一金属元件组内的一金属元件的一形状或一尺寸。

8.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，该第一金属结构、该第二金属结构、该第三金属结构、该第一金属元件组、该第二金属元件组、该第三金属元件组及该第四金属元件组形成一菊链密封环结构。