[发明专利]一种LED芯片制作过程中膜层对位精度的测量方法

权利要求书

1.一种LED芯片制作过程中膜层对位精度的测量方法，其特征在于，所述测量方法包括：

提供一外延片，所述外延片上设置有多个第一对位图形；任一所述第一对位图形包括对位标记点，以及从所述对位标记点延伸出的多条刻度标记线；

在所述外延片具有所述第一对位图形的一侧形成第一膜层，所述第一膜层上设置有多个第二对位图形，所述第一对位图形和所述第二对位图形一一对应；

基于所述第一对位图形和所述第二对位图形，测量所述第一膜层与所述外延片的对位精度。

2.根据权利要求1所述的测量方法，其特征在于，所述提供一外延片，所述外延片上设置有多个第一对位图形；任一所述第一对位图形包括对位标记点，以及从所述对位标记点延伸出的多条刻度标记线，包括：

提供一所述外延片，以及具有所述第一对位图形的第一掩膜版；

基于所述第一掩膜版对所述外延片进行刻蚀处理，以使所述外延片的一侧表面形成多个所述第一对位图形；任一所述第一对位图形包括所述对位标记点，以及从所述对位标记点延伸出的多条所述刻度标记线。

3.根据权利要求1所述的测量方法，其特征在于，所述在所述外延片具有所述第一对位图形的一侧形成第一膜层，所述第一膜层上设置有多个第二对位图形，所述第一对位图形和所述第二对位图形一一对应，包括：

在所述外延片具有所述第一对位图形的一侧形成第一膜层；

提供一具有所述第二对位图形的第二掩膜版；

基于所述第二掩膜版对所述第一膜层进行刻蚀处理，以使所述第一膜层上形成多个所述第二对位图形，所述第一对位图形和所述第二对位图形一一对应。

4.根据权利要求1所述的测量方法，其特征在于，所述测量方法还包括：

在所述第一膜层背离所述外延片的一侧形成第二膜层，所述第二膜层上设置有多个第三对位图形；其中，所述第三对位图形与所述第一对位图形一一对应；

依据所述第一对位图形和所述第三对位图形或依据所述第二对位图形和所述第三对位图形，测量所述第一膜层和所述第二膜层的对位精度。

5.根据权利要求4所述的测量方法，其特征在于，所述在所述第一膜层背离所述外延片的一侧形成第二膜层，所述第二膜层上设置有多个第三对位图形；其中，所述第三对位图形与所述第一对位图形一一对应，包括：

在所述第一膜层背离所述外延片的一侧形成第二膜层；

提供一具有所述第三对位图形的第三掩膜版；

基于所述第三掩膜版对所述第二膜层进行刻蚀处理，以使所述第二膜层上形成多个所述第三对位图形，所述第一对位图形和所述第三对位图形一一对应。

6.根据权利要求1所述的测量方法，其特征在于，所述外延片的表面包括第一区域和第二区域，所述第一区域和所述第二区域互补；

所述第一对位图形位于所述第一区域内，所述第二区域用于形成LED芯粒。

7.根据权利要求1所述的测量方法，其特征在于，相邻两条所述刻度标记线之间的夹角相等。

8.根据权利要求1所述的测量方法，其特征在于，至少一条所述刻度标记线的刻度单位与其它所述刻度标记线的刻度单位不同。