[实用新型]一种半导体封装

说明书

本实用新型涉及一种半导体封装。根据本实用新型的一些实施例，一种半导体封装包含：电子部件、导热层以及第一导热元件。电子部件具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。导热层位于所述电子部件的所述第一表面附近。第一导热元件位于所述电子元件中，其中所述第一导热元件从所述电子元件的所述第一表面延伸并与所述导热层热耦合。

技术领域

本申请大体涉及半导体封装技术，尤其涉及嵌入式散热结构。

背景技术

随着半导体技术的发展和集成度的不断提高，现有存储器封装可不仅包含存储器裸片，还可包含存储器控制器或其他各种功能裸片。

在操作过程中，存储器封装中的各种裸片的功率密度往往存在显着区别，导致存储器封装内不同区域的温度分布极不均匀。例如，功率密度较高的区域可产生若干热点，使得该区域的温度明显高于功率密度较低区域的温度。由于高温区域和低温区域在存储器封装内彼此相邻，致使高温区域的热量不可避免地传导至邻近的低温区域，从而导致低温区域升温。

通常，低温区域内的裸片(例如NAND、DRAM、3DXP等类型的存储器裸片)对温度比较敏感且具有较低的温度容限，极易在相邻高温区域的热辐射影响下发生性能下降甚至出现可靠性问题。然而，现有技术尚缺乏能够有效减少或移除上述热点的解决方案。

有鉴于此，本领域迫切需要提供改进方案以解决上述问题。

实用新型内容

有鉴于此，本申请提供了一种半导体封装，该半导体封装提出了嵌入式散热结构。

根据本申请的一些实施例，一种半导体封装包含：电子部件、导热层以及第一导热元件。电子部件具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。导热层位于所述电子部件的所述第一表面附近。第一导热元件位于所述电子部件中，其中所述第一导热元件从所述电子部件的所述第一表面延伸并与所述导热层热耦合。

根据本申请的一些实施例，半导体封装中的所述电子部件包含第一区域和第二区域，其中所述第一区域比所述第二区域消耗更多的功率且所述第一导热元件位于所述第一区域附近。

根据本申请的一些实施例，半导体封装中的所述第一导热元件与所述第一区域热耦合。

根据本申请的一些实施例，半导体封装中进一步包含位于所述电子部件的所述第二表面附近的重分布层，其中所述第一区域和所述第二区域通过所述重分布层彼此热连接。

根据本申请的一些实施例，半导体封装进一步包含位于所述电子部件中的第二导热元件，其中所述第二导热元件从所述电子部件的所述第一表面延伸并位于所述第二区域附近。

根据本申请的一些实施例，半导体封装中的所述第二导热元件与所述第二区域热耦合。

根据本申请的一些实施例，半导体封装中的所述重分布层热耦合至至少一个电连接器。

根据本申请的一些实施例，半导体封装中的所述电子部件通过所述电连接器电连接到基板。

根据本申请的一些实施例，半导体封装进一步包含位于所述电子部件的所述第二表面附近的所述重分布层，其中所述第一导热元件从所述电子部件的所述第一表面延伸至所述重分布层。

根据本申请的一些实施例，半导体封装中的所述导热层包含至少一个金属层和至少一个石墨烯层。

根据本申请的一些实施例，半导体封装中的所述第一导热元件包含至少一个壁和/或至少一个通孔。

根据本申请的一些实施例，半导体封装中的所述第一导热元件包含铜。

根据本申请的一些实施例，半导体封装中的所述电子部件进一步包含第三区域和第三导热元件，其中所述第三区域比所述第二区域消耗更多的功率，且所述第三导热元件将所述导热层热耦合至所述第三区域。