[发明专利]一种薄膜电容的显示装置及其存储单元的制造方法

说明书

本发明公开了一种薄膜电容的显示装置及其存储单元的制造方法，一种薄膜电容的显示装置，包括基板，所述基板上表面设有多个电容本体，多个所述电容本体上表面覆设有绝缘薄膜，所述绝缘薄膜为聚酰亚胺薄膜，所述绝缘薄膜上表面覆设有防护膜，所述防护膜采用AR合成保护膜，所述防护膜表面开设有多个散热孔。本发明通过设置绝缘薄膜，对电容本体进行有效绝缘保护，防止电容本体出现漏电，并通过设有一层非常薄的防护膜，提高薄膜电容整体的韧性，通过控制湿法刻蚀与等离子刻蚀的比例，能够更加高效得到精度较高的蚀刻图案，从而能够在存储单元生产过程中提高刻蚀的效率，缩短工艺耗时的同时保证刻蚀的精度，进一步提高了存储单元生产效率。

技术领域

本发明属于薄膜电容技术领域，具体涉及一种薄膜电容的显示装置及其存储单元的制造方法。

背景技术

薄膜电容器是以金属箔当电极，将其和聚乙酯，聚丙烯，聚苯乙烯或聚碳酸酯等塑料薄膜，从两端重叠后，卷绕成圆筒状的构造之电容器，在薄膜电容生产方法中，金属化薄膜其制法是在塑料薄膜上以真空蒸镀上一层很薄的金属以做为电极，如此可以省去电极箔的厚度，缩小电容器单位容量的体积，所以薄膜电容器较容易做成小型，容量大的电容器。

目前的薄膜电容在显示装置内可占用空间较小，空间的压缩和长时间的使用，导致薄膜电容容易与显示装置内部其他金属接触，导致电容出现漏电的情况，并且目前在存储单元制造过程中，湿法刻蚀具有各向同性的特点，即其速度在任何方向上都是相同的，这会导致掩膜与刻蚀后的氧化膜不能完全对齐，则会影响产品精度，但是使用等离子体对氧化层撞击的方法速度较慢，严重影响了存储单元的生产效率。为此我们同出一种薄膜电容的显示装置及其存储单元的制造方法。

发明内容

本发明的目的在于提供一种薄膜电容的显示装置及其存储单元的制造方法，以解决上述背景技术中提出现有的一种薄膜电容的显示装置及其存储单元的制造方法在使用过程中，薄膜电容非常容易出现漏电以及生产过程中刻蚀效率低。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种薄膜电容的显示装置，包括基板，所述基板上表面设有多个电容本体，多个所述电容本体上表面覆设有绝缘薄膜，所述绝缘薄膜上表面覆设有防护膜。

优选的，所述绝缘薄膜为聚酰亚胺薄膜。

优选的，所述防护膜采用AR合成保护膜。

优选的，所述防护膜表面开设有多个散热孔。

一种存储单元的制造方法，包括如下步骤：

S1、清除衬底表面杂质和污染物，通过多个步骤取出有机物和金属等杂质，并蒸发残留水；

S2、将衬底放置在高温环境下，并通入氧气，在衬底上形成氧化层，并进行氧化层厚度测试；

S3、在氧化层上涂覆光刻胶，光刻胶通过改变衬底化学性质，方便后续进行光刻步骤；

S4、在覆盖光刻胶薄膜后，就可以通过控制光线照射来完成电路印制，通过曝光设备来选择性地通过光线，当光线穿过包含电路图案的掩膜时，就能将电路印制到下方涂有光刻胶薄膜的衬底上；

S5、去除光刻胶，在衬底上喷涂显影剂，去除图形未覆盖区域的光刻胶，让印刷好的电路图案显现出来；

S6、使用化学溶剂去除氧化膜，待氧化膜厚度减少近一半时，停止湿法刻蚀，并使用等离子体中的离子来撞击并去除多余的氧化层，通过控制湿法刻蚀与等离子刻蚀的比例，能够高效得到精度较高的蚀刻图案；

S7、前驱气体会在反应腔发生化学反应并生成附着在晶圆表面的薄膜以及被抽出腔室的副产物，通过不断地沉积一层层的薄膜并通过刻蚀去除掉其中多余的部分；

S8、沉积和刻蚀介电材料，在需要的地方形成由沟道和通路孔组成的金属线路图形，之后再将铜填入其中实现互连；