[发明专利]一种薄膜电容的显示装置及其存储单元的制造方法

权利要求书

1.一种薄膜电容的显示装置，包括基板(1)，其特征在于：所述基板(1)上表面设有多个电容本体(2)，多个所述电容本体(2)上表面覆设有绝缘薄膜(3)，所述绝缘薄膜(3)上表面覆设有防护膜(4)。

2.根据权利要求1所述的一种薄膜电容的显示装置，其特征在于：所述绝缘薄膜(3)为聚酰亚胺薄膜。

3.根据权利要求1所述的一种薄膜电容的显示装置，其特征在于：所述防护膜(4)采用AR合成保护膜。

4.根据权利要求1所述的一种薄膜电容的显示装置，其特征在于：所述防护膜(4)表面开设有多个散热孔(5)。

5.一种存储单元的制造方法，其特征在于：包括如下步骤：

S1、清除衬底表面杂质和污染物，通过多个步骤取出有机物和金属等杂质，并蒸发残留水；

S2、将衬底放置在高温环境下，并通入氧气，在衬底上形成氧化层，并进行氧化层厚度测试；

S3、在氧化层上涂覆光刻胶，光刻胶通过改变衬底化学性质，方便后续进行光刻步骤；

S4、在覆盖光刻胶薄膜后，就可以通过控制光线照射来完成电路印制，通过曝光设备来选择性地通过光线，当光线穿过包含电路图案的掩膜时，就能将电路印制到下方涂有光刻胶薄膜的衬底上；

S5、去除光刻胶，在衬底上喷涂显影剂，去除图形未覆盖区域的光刻胶，让印刷好的电路图案显现出来；

S6、使用化学溶剂去除氧化膜，待氧化膜厚度减少近一半时，停止湿法刻蚀，并使用等离子体中的离子来撞击并去除多余的氧化层，通过控制湿法刻蚀与等离子刻蚀的比例，能够高效得到精度较高的蚀刻图案；

S7、前驱气体会在反应腔发生化学反应并生成附着在晶圆表面的薄膜以及被抽出腔室的副产物，通过不断地沉积一层层的薄膜并通过刻蚀去除掉其中多余的部分；

S8、沉积和刻蚀介电材料，在需要的地方形成由沟道和通路孔组成的金属线路图形，之后再将铜填入其中实现互连；

S9、采用金属化学机械抛光方法去除多余的铜；

S10、沉积氧化膜，多余的膜则用光刻和刻蚀工艺去除即可。