[发明专利]半导体封装装置及其制造方法

说明书

本公开涉及半导体封装装置及其制造方法。该半导体封装装置包括：重布线层，表面设置有凸块下金属；阻挡结构，设置于重布线层上并对应凸块下金属上表面设置有开口，阻挡结构对应开口边缘处高于凸块下金属；第一芯片和第二芯片，设置于重布线层上，通过焊锡与重布线层的凸块下金属电连接，焊锡至少部分设置于开口内。该半导体封装装置及其制造方法能够通过阻挡结构的开口对焊锡定位，以提高第一芯片和第二芯片与重布线层的电连接性能。

技术领域

本公开涉及半导体封装技术领域，具体涉及半导体封装装置及其制造方法。

背景技术

目前FOCoS(Fan Out Chip on Substrate，扇出型基板上芯片)平台发展至今，因属于异质整合的平台，常会在FOCoS平台上整合各种不同功能的芯片，而连接的方式大多为使用锡银球来进行对接，但近年来因发展趋势、客户设计需求，都需要让连接部位的尺寸越小越好，但整体尺寸缩小可能会对芯片键合制程带来对位、锡银球滑动等挑战，目前锡银球来做对接但因会有遭遇锡银球滑动导致芯片键合的对位不准确等问题，会影响整体传输效能。

发明内容

本公开提供了一种半导体封装装置及其制造方法。

第一方面，本公开提供了一种半导体封装装置，包括：

重布线层，表面设置有凸块下金属；

阻挡结构，设置于所述重布线层上并对应所述凸块下金属上表面设置有开口，所述阻挡结构对应所述开口边缘处高于所述凸块下金属；

第一芯片和第二芯片，设置于所述重布线层上，通过焊锡与所述重布线层的凸块下金属电连接，焊锡至少部分设置于所述开口内。

在一些可选的实施方式中，所述阻挡结构对应所述开口边缘处的内壁向所述凸块下金属方向渐缩。

在一些可选的实施方式中，所述开口小于所述凸块下金属上表面。

在一些可选的实施方式中，所述阻挡结构至少部分围设于所述凸块下金属上表面的边缘。

在一些可选的实施方式中，所述重布线层表面对应所述第一芯片和所述第二芯片之间间隔的下方设置有第一凹部。

在一些可选的实施方式中，所述重布线层表面对应所述第一芯片和所述第二芯片下方设置有第二凹部。

在一些可选的实施方式中，所述重布线层上设置有底部填充材，所述底部填充材至少部分填设于所述第一凹部和所述第二凹部。

在一些可选的实施方式中，所述第一芯片和所述第二芯片与所述重布线层之间设置有底部填充材。

在一些可选的实施方式中，所述装置还包括：

封装材，设置于所述重布线层上，包覆所述第一芯片和所述第二芯片。

第二方面，本公开提供了一种半导体封装装置的制造方法，包括：

提供重布线层，所述重布线层表面设置有凸块下金属；

在所述重布线层上设置介电层；

在所述介电层对应所述凸块下金属上表面设置开口，以形成阻挡结构，所述阻挡结构对应所述开口边缘处高于所述凸块下金属；

将第一芯片和第二芯片设置于所述重布线层上，通过焊锡与所述重布线层的凸块下金属电连接，焊锡至少部分设置于所述开口内。

在一些可选的实施方式中，所述开口小于所述凸块下金属上表面。

在一些可选的实施方式中，所述在所述介电层对应所述凸块下金属上表面设置开口，包括：

刻蚀以形成所述开口，以使所述凸块下金属上表面经所述开口露出。