[发明专利]半导体封装装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202111152135.6 | 申请日： | 2021-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN113948489A | 公开（公告）日： | 2022-01-18 |
| 发明（设计）人： | 庄劭萱;张皇贤 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/31;H01L23/18;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京植德律师事务所 11780 | 代理人： | 唐华东 |
| 地址： | 中国台湾高雄*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体封装装置，包括：
重布线层，表面设置有凸块下金属；
阻挡结构，设置于所述重布线层上并对应所述凸块下金属上表面设置有开口，所述阻挡结构对应所述开口边缘处高于所述凸块下金属；
第一芯片和第二芯片，设置于所述重布线层上，通过焊锡与所述重布线层的凸块下金属电连接，焊锡至少部分设置于所述开口内。
2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述阻挡结构对应所述开口边缘处的内壁向所述凸块下金属方向渐缩。
3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述开口小于所述凸块下金属上表面。
4.根据权利要求1所述的装置，其中，所述阻挡结构至少部分围设于所述凸块下金属上表面的边缘。
5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述重布线层表面对应所述第一芯片和所述第二芯片之间间隔的下方设置有第一凹部。
6.根据权利要求5所述的装置，其中，所述重布线层表面对应所述第一芯片和所述第二芯片下方设置有第二凹部。
7.根据权利要求6所述的装置，其中，所述重布线层上设置有底部填充材，所述底部填充材至少部分填设于所述第一凹部和所述第二凹部。
8.根据权利要求1所述的装置，其中，所述装置还包括：
封装材，设置于所述重布线层上，包覆所述第一芯片和所述第二芯片。
9.一种半导体封装装置的制造方法，包括：
提供重布线层，所述重布线层表面设置有凸块下金属；
在所述重布线层上设置介电层；
在所述介电层对应所述凸块下金属上表面设置开口，以形成阻挡结构，所述阻挡结构对应所述开口边缘处高于所述凸块下金属；
将第一芯片和第二芯片设置于所述重布线层上，通过焊锡与所述重布线层的凸块下金属电连接，焊锡至少部分设置于所述开口内。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述开口小于所述凸块下金属上表面。
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