[发明专利]半导体封装结构在审
| 申请号： | 202111101312.8 | 申请日： | 2021-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN114023708A | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 吕文隆 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/00;H01L23/16;H01L23/538 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 结构 | ||
1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：
线路层；
第一芯片和第二芯片，位于所述线路层上方；
强化结构，位于所述第一芯片和所述第二芯片下方，并且所述强化结构抵住所述第一芯片的下表面、所述第二芯片的下表面和所述线路层的上表面。
2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，
所述线路层的所述上表面包括凹部，所述强化结构设置在所述凹部内。
3.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：
底部填充物，所述底部填充物至少包覆所述强化结构。
4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，
所述线路层包括从所述第一芯片的下方延伸到所述第二芯片的下方的桥接线路，其中，所述强化结构位于所述桥接线路上方。
5.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，
所述强化结构的上表面处具有与所述第一芯片的下表面和所述第二芯片的下表面接触的第一黏着层。
6.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，
所述强化结构的下表面处具有与所述线路的层的所述上表面接触的第二黏着层。
7.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，
所述强化结构通过电连接件附接至所述线路层的所述上表面。
8.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，
所述强化结构包括被动元件。
9.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，
所述强化结构包括第三芯片。
10.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，
所述强化结构包括间隔设置的第一强化结构和第二强化结构，其中，所述第一强化结构抵住所述第一芯片的下表面和所述线路层的上表面，所述第二强化结构抵住所述第二芯片的下表面和所述线路层的上表面。
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