[发明专利]半导体封装

说明书

一种半导体封装包括：第一半导体芯片，包括第一布线结构；在第一布线结构上以在第一方向上间隔开的第一接合焊盘和第一对准标记；第二半导体芯片，包括第二布线结构；在第二布线结构上并与第一接合焊盘连接的第二接合焊盘；以及在第二布线结构上以与第二接合焊盘间隔开并且在第二方向上不与第一对准标记重叠的第二对准标记，第一布线结构包括第一布线图案，第一布线图案连接到第一接合焊盘，并且在第二方向上不与第一对准标记和第二对准标记重叠，以及第二布线结构包括第二布线图案，第二布线图案连接到第二接合焊盘，并且在第二方向上不与第一对准标记和第二对准标记重叠。

相关申请的交叉引用

本申请要求2020年9月3日在韩国知识产权局递交的韩国专利申请No.10-2020-0112307的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

实施例涉及半导体封装。

背景技术

随着电子产业越来越高度发展，对半导体元件的高度集成的需求不断增长。这导致各种问题，例如用于限定精细图案的曝光工艺的工艺裕度减小并且使得实现半导体元件更加困难。此外，随着电子产业的发展，对半导体元件高速化的需求也在增长。为了满足半导体元件的高集成度和/或高速度的需求，已经进行了各种研究。

发明内容

本公开的方面提供一种具有改进的产品可靠性的半导体封装。

实施例涉及一种半导体封装，该半导体封装包括：第一半导体芯片，包括第一布线结构；第一接合焊盘和第一对准标记，设置在第一布线结构上以在第一方向上彼此间隔开；第二半导体芯片，包括第二布线结构，所述第二布线结构在与第一方向不同的第二方向上与第一半导体芯片间隔开并且与第一布线结构相对；第二接合焊盘，设置在第二布线结构上并电连接到第一接合焊盘；以及第二对准标记，设置在第二布线结构上以在第一方向上与第二接合焊盘间隔开，并且在第二方向上不与第一对准标记重叠，其中，第一布线结构包括第一布线图案，所述第一布线图案电连接到第一接合焊盘，并且在第二方向上不与第一对准标记和第二对准标记重叠，以及第二布线结构包括第二布线图案，所述第二布线图案电连接到第二接合焊盘，并且在第二方向上不与第一对准标记和第二对准标记重叠。

实施例涉及一种半导体封装，包括：第一半导体芯片，包括第一布线结构；第一钝化层，包括设置在第一布线结构上以在第一方向上彼此间隔开的第一对准标记和第一接合焊盘；第二钝化层，设置在第一钝化层上，并且包括第二对准标记和与第一接合焊盘直接接合的第二接合焊盘；以及第二半导体芯片，包括第二布线结构，所述第二布线结构通过第二钝化层在与第一方向不同的第二方向上与第一布线结构间隔开，其中，第一对准标记和第一布线结构接触的表面与第一接合焊盘和第一布线结构接触的表面形成同一平面，第二对准标记和第二布线结构接触的表面与第二接合焊盘和第二布线结构接触的表面形成同一平面，第一对准标记包括对准部和开口，所述开口穿透对准部并暴露第一布线结构的至少一部分，以及第二对准标记在第二方向上与开口重叠并且在第二方向上不与对准部重叠。

实施例涉及一种半导体封装，包括：衬底，包括第一面和在第一方向上与第一面相对的第二面，第一面包括连接焊盘；第一连接端子，在衬底的第一面上电连接到连接焊盘；第一半导体芯片，包括：在衬底的第二面上的第一布线结构，第一布线结构包括设置有第一布线图案的第一布线区域和未设置有第一布线图案的第一对准区域；以及第一穿透电极，与第一连接端子和第一布线图案电连接；第一钝化层，包括：第一接合焊盘，设置在第一布线结构的第一布线图案上并电连接到第一布线图案；以及第一对准标记，设置在第一布线结构的第一对准区域上；第二钝化层，包括：与第一接合焊盘直接接合的第二接合焊盘；第二对准标记，设置在第一对准区域上并且在第一方向上不与第一对准标记重叠，第二钝化层直接接合到第一钝化层；以及第二半导体芯片，包括在第二钝化层上的第二布线结构，第二布线结构包括：第二布线区域，与第二接合焊盘电连接的第二布线图案设置在所述第二布线区域中；以及第二对准区域，第二布线图案不设置在第二对准区域中，其中，第二对准标记设置在第二对准区域上。