[发明专利]半导体封装在审
申请号: | 202111029257.6 | 申请日: | 2021-09-02 |
公开(公告)号: | CN114141739A | 公开(公告)日: | 2022-03-04 |
发明(设计)人: | 朴相天;李荣敏;金大祐;李赫宰 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488;H01L23/544 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 李敬文 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 | ||
1.一种半导体封装,包括:
第一半导体芯片,包括第一布线结构;
第一接合焊盘和第一对准标记,设置在所述第一布线结构上以在第一方向上彼此间隔开;
第二半导体芯片,包括第二布线结构,所述第二布线结构在与所述第一方向不同的第二方向上与所述第一半导体芯片间隔开,并且与所述第一布线结构相对;
第二接合焊盘,设置在所述第二布线结构上并电连接到所述第一接合焊盘;以及
第二对准标记,设置在所述第二布线结构上以在所述第一方向上与所述第二接合焊盘间隔开,并且在所述第二方向上不与所述第一对准标记重叠,
其中,所述第一布线结构包括第一布线图案,所述第一布线图案电连接到所述第一接合焊盘,并且在所述第二方向上不与所述第一对准标记和所述第二对准标记重叠,以及
其中,所述第二布线结构包括第二布线图案,所述第二布线图案电连接到所述第二接合焊盘,并且在所述第二方向上不与所述第一对准标记和所述第二对准标记重叠。
2.根据权利要求1所述的半导体封装,其中,从平面视角来看,所述第一对准标记与所述第二对准标记间隔开并且围绕第二对准标记的外周。
3.根据权利要求2所述的半导体封装,其中,所述第一对准标记具有环形形状,并且所述第二对准标记具有圆形形状。
4.根据权利要求2所述的半导体封装,
其中,所述第一对准标记具有包括四边形形状的内壁和外壁在内的盒形状,以及
其中,所述第二对准标记具有四边形形状,并且设置在所述第一对准标记的内壁内部。
5.根据权利要求1所述的半导体封装,其中,所述第一对准标记包括与所述第一接合焊盘相同的材料。
6.根据权利要求5所述的半导体封装,其中,所述第一对准标记在所述第二方向上的厚度与所述第二对准标记在所述第二方向上的厚度相同。
7.根据权利要求1所述的半导体封装,其中,所述第一对准标记包括与所述第一接合焊盘不同的材料。
8.根据权利要求7所述的半导体封装,其中,所述第一对准标记在所述第二方向上的厚度与所述第一接合焊盘在所述第二方向上的厚度不同。
9.根据权利要求7所述的半导体封装,
其中,所述第二接合焊盘包括与所述第一接合焊盘相同的材料,以及
其中,所述第二对准标记包括与所述第二接合焊盘不同的材料。
10.根据权利要求9所述的半导体封装,其中,所述第二对准标记在所述第二方向上的厚度与所述第二接合焊盘在所述第二方向上的厚度不同。
11.根据权利要求1所述的半导体封装,
其中,所述第一半导体芯片还包括第一穿透电极,所述第一穿透电极穿透所述第一半导体芯片并电连接到所述第一布线结构,以及
其中,所述第二半导体芯片还包括第二穿透电极,所述第二穿透电极穿透所述第二半导体芯片并电连接到所述第二布线结构。
12.根据权利要求11所述的半导体封装,
其中,所述第一对准标记包括在所述第一方向上彼此间隔开的第一子对准标记和第二子对准标记,以及
其中,所述第一穿透电极设置在所述第一子对准标记和所述第二子对准标记之间。
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