[发明专利]半导体存储装置在审
| 申请号: | 202110927715.1 | 申请日: | 2021-08-11 |
| 公开(公告)号: | CN114267646A | 公开(公告)日: | 2022-04-01 |
| 发明(设计)人: | 井户道雄 | 申请(专利权)人: | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/498;H01L25/065 |
| 代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 张轶楠;段承恩 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 存储 装置 | ||
1.一种半导体存储装置,
具备基板、第1半导体芯片及第2半导体芯片,
所述第1半导体芯片具有与所述基板相接的第1面、所述第1面的相反侧的第2面及设置于所述第2面的第1焊盘,
所述第2半导体芯片具有与所述第2面相接的第3面、所述第3面的相反侧的第4面及缺口部,
所述缺口部设置于处于所述第3面与所述第4面之间的侧面和所述第3面交叉的角部,在从所述第4面的上方观察时与所述第1焊盘的至少一部分重叠。
2.根据权利要求1所述的半导体存储装置,
所述第1半导体芯片的所述第1焊盘与从所述基板延伸的引线电连接,
所述引线在所述第2半导体芯片的缺口面旁边分离设置。
3.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置,
所述缺口部被设置为相对于所述第3面的缺口深度从所述第3面的中心部侧到外周部侧逐渐变大。
4.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置,
所述第2半导体芯片还具有:
半导体基板,配置于所述第3面侧;及
半导体元件,配置于所述第4面侧,设置在所述半导体基板上,
所述缺口部设置于所述半导体基板。
5.根据权利要求4所述的半导体存储装置,
所述缺口部离开所述半导体元件而设置。
6.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置,
所述第2半导体芯片在所述第4面具有第2焊盘,
所述第2焊盘被配置为在从所述第4面的上方观察时其至少一部分与所述缺口部重叠。
7.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置,
所述第2半导体芯片在所述第4面具有第2焊盘,
所述第2焊盘被配置为在从所述第4面的上方观察时其至少一部分与所述第1焊盘重叠。
8.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置,
所述第2半导体芯片被配置为在从所述第4面的上方观察时其中心位置与所述第1半导体芯片的中心位置一致。
9.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置,
所述第2半导体芯片的所述第3面经由粘接层与所述第1半导体芯片的所述第2面粘接。
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