[发明专利]半导体封装结构及其制造方法

说明书

本公开提供的半导体封装结构及其制造方法，通过在引线框架中增加与重布线层接合的延伸部，将延伸部作为重布线层的基底，减少了重布线层与模封层的接触面积，因此可以有效降低重布线层剥落的风险。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，具体涉及半导体封装结构及其制造方法。

背景技术

以现有引线框架6(Lead Frame)为基础的扇出(fan out，又称RDL重布线层)制程，如图1所示，通常芯片1的I/O连接会透过导通孔(via)或导电柱(pillar)连接。重布线层3通常制作于介电层7上，但此做法的成本偏高。

如图2所示，若不使用介电层7，而直接在模封层4上制作重布线层3，由于模封层4与重布线层3之间接合力低，容易产生剥落(peeling)，因此产品信赖性上会有风险。

另外，如图4所示，若缩减现有引线框架6与芯片1之间的间距，使重布线层3与模封层4接触的区域最小化，虽能改善重布线层3与模封层4接合力不良的风险，但如图5所示，扇出的I/O数量会大幅度缩小，产品发展性空间就会被限制，因此缩减现有引线框架6与芯片1之间的间距并非为最佳的选择。

发明内容

本公开提供了半导体封装结构及其制造方法。

第一方面，本公开提供了一种半导体封装结构，该半导体封装结构包括：芯片；引线框架，设于所述芯片的至少一侧，所述引线框架包括引线阵列和延伸部；重布线层，直接接触所述芯片的主动面和所述引线框架的上表面。

在一些可选的实施方式中，所述延伸部于朝向所述芯片的方向上延伸。

在一些可选的实施方式中，所述延伸部的厚度小于等于所述芯片的厚度。

在一些可选的实施方式中，所述引线阵列和所述延伸部为一体成型。

在一些可选的实施方式中，所述延伸部为金属材料。

在一些可选的实施方式中，所述延伸部的上表面与所述引线阵列的上表面共面。

在一些可选的实施方式中，所述延伸部的厚度与所述引线阵列的厚度相同。

在一些可选的实施方式中，所述延伸部的宽度与所述重布线层的宽度相同。

在一些可选的实施方式中，所述半导体封装结构还包括：模封层，所述引线框架嵌设于所述模封层中，所述重布线层设于所述模封层上，所述延伸部与所述重布线层之间的接合力大于所述模封层与所述重布线层之间的接合力。

第二方面，本公开提供了一种半导体封装结构的制造方法，该方法包括：提供具有中空区域的引线框架于载体上，所述引线框架包括引线阵列和延伸部；设置芯片于所述载体上且位于所述中空区域；形成重布线层于所述芯片的主动面和所述引线框架的上表面。

在一些可选的实施方式中，所述设置芯片于所述载体上且位于所述中空区域，包括：以芯片主动面朝下(Die Face Down)的方式将所述芯片于所述载体上且位于所述中空区域。

在一些可选的实施方式中，所述在所述形成重布线层于之前，所述方法还包括：设置覆盖所述芯片与所述引线框架的模封层，并研磨所述模封层以露出所述芯片的背面；翻转使所述芯片的主动面朝上；去除所述载体，露出所述芯片的主动面。

为了解决在引线框架为基础的结构中，由于重布线层与模封层之间的低接合力而造成的重布线层与模封层之间有剥落(peeling)风险的问题，本公开提供的半导体封装结构及其制造方法，通过在引线框架上增加与重布线层接合的延伸部，由于延伸部为金属材料，与重布线层有良好的接合力，将延伸部作为重布线层的基底，减少了重布线层与模封层的接触面积，因此可以有效降低重布线层剥落的风险。并且，将以往重布线层上的介电层移除，可以让产品在成本上更有优势。另外，延伸部作为重布线层的基底，还可以增加重布线层中线路的散热效率。