[发明专利]半导体封装件

说明书

一种半导体封装件包括：第一重分布结构，其具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，并且包括第一绝缘层和设置在第一绝缘层上的第一重分布层；半导体芯片，其设置在第一重分布结构的第一表面上，并且包括电连接到第一重分布层并嵌入在第一绝缘层中的连接焊盘；垂直连接结构，其设置在第一表面上并且电连接到第一重分布层；密封剂，其包封半导体芯片和垂直连接结构中的每一个的至少一部分；第二重分布结构，其设置在密封剂上并且包括连接到垂直连接结构的第二重分布层电；以及连接凸块，其设置在第二表面上并且电连接到第一重分布层。

相关申请的交叉引用

本申请要求2020年7月10日提交于韩国知识产权局的韩国专利申请No.10-2020-0085231的优先权，其公开内容整体以引用方式并入本文中。

技术领域

本公开的示例实施例涉及一种半导体封装件和制造半导体封装件的方法。

背景技术

最近，随着半导体芯片已被设计为具有减小的尺寸，需要重分布层具有精细间距和高设计灵活性的半导体封装件。另外，随着半导体芯片的高性能，需要具有改进的刚度和散热性质的半导体封装件。

发明内容

根据本公开的示例实施例，提供了一种重分布层具有高设计灵活性的半导体封装件和制造该半导体封装件的方法。

根据本公开的示例实施例，提供了一种半导体封装件。该半导体封装件包括：第一重分布结构，其具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，并且包括第一绝缘层和设置在第一绝缘层上的第一重分布层；半导体芯片，其设置在第一重分布结构的第一表面上，并且包括电连接到第一重分布层并嵌入在第一绝缘层中的连接焊盘；竖直连接结构，其设置在第一重分布结构的第一表面上并且电连接到第一重分布层；密封剂，其包封半导体芯片和竖直连接结构中的每一个的至少一部分；第二重分布结构，其设置在密封剂上并且包括电连接到竖直连接结构的第二重分布层电；以及连接凸块，其设置在第一重分布结构的第二表面上并且电连接到第一重分布层，其中，竖直连接结构包括嵌入在第一绝缘层中的图案层、设置在图案层上的屏障层以及设置在屏障层上的柱层，并且其中，图案层设置在与连接焊盘的水平相同的水平上。

根据本公开的示例实施例，提供了一种半导体封装件。该半导体封装件包括：重分布结构，其包括绝缘层和设置在绝缘层上的重分布层；半导体芯片，其设置在重分布结构上并且包括电连接到重分布层的连接焊盘；以及竖直连接结构，其围绕半导体芯片并且电连接到重分布结构上的重分布层，其中，竖直连接结构包括嵌入在绝缘层的与绝缘层的其上设置有重分布层的表面相对的表面中的图案层、设置在图案层上的屏障层以及设置在屏障层上的柱层，并且其中，图案层具有与屏障层的下表面接触并与屏障层交叠的第一焊盘部分、一端在水平方向上从第一焊盘部分延伸的图案部分以及连接到图案部分的另一端的第二焊盘部分。

根据本公开的示例实施例，提供给了一种半导体封装件。该半导体封装件包括：重分布结构，其包括绝缘层和设置在绝缘层上的重分布层；半导体芯片，其设置在重分布结构上并且包括电连接到重分布层的连接焊盘；竖直连接结构，其设置在重分布结构上并且围绕半导体芯片；以及密封剂，其包封半导体芯片和竖直连接结构中的每一个的至少一部分，其中，竖直连接结构包括嵌入在绝缘层中的图案层、设置在图案层上的屏障层以及设置在屏障层上的柱层，并且图案层的上表面的至少一部分与密封剂接触，并且图案层的侧表面和下表面中的每一个的至少一部分与绝缘层接触，并且其中，重分布结构还包括穿透与图案层的下表面接触的绝缘层并将重分布层连接到图案层的第一重分布过孔件。