[发明专利]半导体封装件

权利要求书

1.一种半导体封装件，包括：

第一重分布结构，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，并且包括第一绝缘层和设置在所述第一绝缘层上的第一重分布层；

半导体芯片，其设置在所述第一重分布结构的第一表面上，并且包括电连接到所述第一重分布层并嵌入在所述第一绝缘层中的连接焊盘；

竖直连接结构，其设置在所述第一重分布结构的第一表面上并且电连接到所述第一重分布层；

密封剂，其包封所述半导体芯片和所述竖直连接结构中的每一个的至少一部分；

第二重分布结构，其设置在所述密封剂上并且包括电连接到所述竖直连接结构的第二重分布层；以及

连接凸块，其设置在所述第一重分布结构的第二表面上并且电连接到所述第一重分布层，

其中，所述竖直连接结构包括嵌入在所述第一绝缘层中的图案层、设置在所述图案层上的屏障层以及设置在所述屏障层上的柱层，并且

其中，所述图案层设置在与所述连接焊盘的水平相同的水平上。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件，

其中，所述柱层的厚度大于所述图案层的厚度和所述屏障层的厚度，并且

其中，所述图案层的厚度大于所述屏障层的厚度。

3.根据权利要求2所述的半导体封装件，

其中，所述柱层的厚度在100μm至200μm的范围内，

其中，所述屏障层的厚度在1μm至2μm的范围内，并且

其中，所述图案层的厚度在5μm至10μm的范围内。

4.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述屏障层包括与所述柱层和所述图案层的材料不同的材料。

5.根据权利要求4所述的半导体封装件，

其中，所述屏障层包括镍(Ni)或钛(Ti)，并且

其中，所述柱层和所述图案层包括铜(Cu)。

6.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述图案层的上表面的至少一部分从所述第一绝缘层暴露。

7.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述密封剂覆盖所述柱层的侧表面、所述屏障层的侧表面和所述图案层的上表面中的每一个的至少一部分。

8.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述密封剂的下表面与所述屏障层的下表面共面。

9.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述柱层具有侧表面逐渐变窄的竖直截面形状，以使得所述柱层的宽度朝着所述屏障层增加。

10.根据权利要求1所述的半导体封装件，还包括：

芯结构，其与所述竖直连接结构相邻设置在所述第一重分布结构的第一表面上，

其中，所述芯结构包括嵌入在所述第一绝缘层中的第一芯层、设置在所述第一芯层上的第二芯层以及设置在所述第二芯层上的第三芯层，

其中，所述第一芯层的厚度与所述图案层的厚度相同，

其中，所述第二芯层的厚度与所述屏障层的厚度相同，并且

其中，所述第三芯层的厚度与所述柱层的厚度相同。

11.根据权利要求10所述的半导体封装件，其中，所述芯结构与所述竖直连接结构电绝缘。

12.根据权利要求1所述的半导体封装件，

其中，所述第二重分布结构还包括设置在所述密封剂上的第二绝缘层以及穿透所述第二绝缘层并将所述第二重分布层电连接到所述竖直连接结构的第二重分布过孔件，并且

其中，所述第二重分布层设置在所述第二绝缘层的上表面上。