[发明专利]引线框架及半导体芯片在审
申请号: | 202110662104.9 | 申请日: | 2021-06-15 |
公开(公告)号: | CN113410202A | 公开(公告)日: | 2021-09-17 |
发明(设计)人: | 王雄星 | 申请(专利权)人: | 江苏兴宙微电子有限公司 |
主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495;H01L43/04 |
代理公司: | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孙佳胤 |
地址: | 214174 江苏省无锡市经济开*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 引线 框架 半导体 芯片 | ||
本发明提供了一种引线框架及半导体芯片,所述引线框架包括用于承载霍尔芯片的承载部以及原边框架:所述承载部为U型导体;所述原边框架包含输入引脚与输出引脚,所述输入引脚与输出引脚分别与承载部的两端连接,用于导入检测电流。通过引线框架结构设计优化,将引脚相互连接且加厚,代替传统的电流导线,有效降低导线的阻抗,使框架内部结构可以通过100安培的电流,实现降低霍尔电流传感器体积,降低功耗的技术效果。
技术领域
本发明涉及半导体领域,尤其涉及一种引线框架及半导体芯片。
背景技术
现有技术中,多数类型的霍尔电流传感器是开环式和闭环式两种,其结构均存在中间穿孔的部分。
无论开环式或者闭环式的霍尔电流传感器,基本结构都是通过原边电流导线穿过环形磁芯中间孔这种结构,在环形磁芯中产生磁场,或者初级电流线绕圆形磁环产生磁场的方式来实现。
现有技术中霍尔电流传感器结构缺陷是:整个霍尔传感器模块三维尺寸大,原因是受限于圆形磁环的体积,加之初级电流线的直径以及外围辅助测试电路印制电路板的尺寸限制,无法将霍尔传感器模块做小。
霍尔电流传感器做成半导体集成电路,常规的SOP16封装和SOP8封装通过普通绝缘胶来达到芯片与引线框架之间绝缘隔离电压无法承受3kV、50HZ电流通过1分钟。
常规的SOP16封装和SOP8封装内部铜框架导线阻抗大、功耗大,无法解决过大电流工作时散热问题。由于封装内部塑封材料和芯片的膨胀率相差巨大,在通过大电流工作时,产生高温的造成内部应力会影响产品的稳定性和可靠性。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是霍尔电流传感器体积大、无法通过大电流的问题,提供一种引线框架及半导体芯片。
为了解决上述问题,本发明提供了一种引线框架,包括用于承载霍尔芯片的承载部以及原边框架:所述承载部为U型导体;所述原边框架包含输入引脚与输出引脚,所述输入引脚与输出引脚分别与承载部的两端连接,用于导入检测电流。
为了解决上述问题,本发明提供了一种半导体芯片,包括霍尔芯片和引线框架,所述引线框架包括用于承载所述霍尔芯片的承载部以及原边框架:所述承载部为U型导体;所述原边框架包含输入引脚与输出引脚,所述输入引脚与输出引脚分别与承载部的两端连接,用于导入检测电流。
本发明通过引线框架结构设计优化,将引脚相互连接且加厚,代替传统的电流导线,有效降低导线的阻抗,使框架内部结构可以通过100安培的电流,实现降低霍尔电流传感器体积,降低功耗的技术效果。
附图说明
附图1所示为本发明一种具体实施方式所述引线框架结构图。
附图2所示为本发明一种具体实施方式所述引线框架结构图。
附图3所示为本发明一种具体实施方式所述半导体芯片立体结构图。
附图4所示为本发明一种具体实施方式所述引线框架结构图。
附图5所示为本发明一种具体实施方式采用所述引线框架结构图。
附图6所示为本发明一种具体实施方式所述半导体芯片立体结构图。
附图7所示为本发明一种具体实施方式所述类锥形开槽与圆弧型开槽对比示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明提供的一种引线框架的具体实施方式做详细说明。
附图1所示为本发明一种具体实施方式所述引线框架结构图。
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