[发明专利]半导体封装结构及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202110618564.1 申请日: 2021-06-03
公开(公告)号: CN113764360A 公开(公告)日: 2021-12-07
发明(设计)人: 李晓燕;欧英德;郭进成;陈重豪 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L21/56;B01L3/00
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 蕭輔寬
地址: 中国台湾高*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 半导体 封装 结构 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体封装结构,其包括:

衬底;

裸片,其安置于所述衬底上或内,其中所述裸片具有背对所述衬底的第一表面且包括在所述裸片的所述第一表面的感测区和衬垫,所述裸片的所述第一表面具有第一边缘和与所述第一边缘相对的第二边缘,所述感测区安置成邻近所述第一边缘,且所述衬垫安置成远离所述第一边缘;以及

导电结构,其电连接所述衬垫和所述衬底;

其中所述感测区具有远离所述裸片的所述第一表面的所述第一边缘的第一端,且从所述感测区的所述第一端到所述衬垫中心的距离等于或大于从所述感测区的所述第一端到所述裸片的所述第一表面的所述第一边缘的距离。

2.根据权利要求1所述的半导体封装结构,其中所述裸片安置于所述衬底内,且所述裸片的所述第一表面从所述衬底的第一表面暴露,且所述裸片的所述第一表面与所述衬底的所述第一表面共面。

3.根据权利要求1所述的半导体封装结构,其中所述裸片的所述第一表面呈矩形形式。

4.根据权利要求1所述的半导体封装结构,其中所述裸片安置于所述衬底的第一表面上,且所述半导体封装结构进一步包括安置于所述衬底的所述第一表面上的虚拟组件。

5.根据权利要求4所述的半导体封装结构,其中所述虚拟组件具有背对所述衬底的第一表面,且所述第一表面与所述裸片的所述第一表面大体上共面。

6.根据权利要求1所述的半导体封装结构,其进一步包括覆盖所述衬垫和所述导电结构的包封物或盖。

7.根据权利要求1所述的半导体封装结构,其进一步包括安置于所述裸片的所述感测区上的微流体结构。

8.根据权利要求1所述的半导体封装结构,其中从所述感测区的所述第一端到所述衬垫中心的所述距离等于或大于所述感测区的长度。

9.根据权利要求1所述的半导体封装结构,其进一步包括覆盖所述衬垫和所述导电结构的保护结构,其中从所述感测区的所述第一端到所述保护结构的距离等于或大于从所述感测区的所述第一端到所述裸片的所述第一表面的所述第一边缘的距离,且从所述感测区的所述第一端到所述衬垫的所述中心的所述距离大于从所述感测区的所述第一端到所述裸片的所述第一表面的所述第一边缘的所述距离。

10.一种半导体封装结构,其包括:

衬底;以及

裸片,其安置于所述衬底上或内,

其中所述裸片具有背对所述衬底的第一表面,且所述裸片的所述第一表面具有第一边缘和与所述第一边缘相对的第二边缘,

其中所述裸片从所述第一边缘到所述第二边缘包括用于测试生物样本的第一区、用于将所述裸片电连接到所述衬底的第二区以及位于所述第一区与所述第二区之间的用于防止所述生物样本进入所述第二区的第三区,且

其中所述第三区的长度等于或大于所述第一区的长度。

11.根据权利要求10所述的半导体封装结构,其中所述第一区包含功能区域。

12.根据权利要求11所述的半导体封装结构,其中所述第三区的所述长度等于或大于所述第一区的所述功能区域的长度。

13.根据权利要求10所述的半导体封装结构,其中所述第三区包括凹槽、挡扳或疏溶性涂层。

14.根据权利要求10所述的半导体封装结构,其中所述第二区包括一或多个衬垫,且所述半导体封装结构进一步包括覆盖所述第二区的所述一或多个衬垫的包封物或盖。

15.根据权利要求14所述的半导体封装结构,其中所述第二区的所述衬垫电连接到所述衬底的相应衬垫。

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