[发明专利]一种半导体结构及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底；

电容接触结构，位于所述衬底内，所述电容接触结构具有容置部，所述容置部包括容置体和至少一个容置口；

电容结构，包括下电极，所述下电极包括至少一个插入部，所述插入部与所述容置口对应设置，所述插入部位于所述容置口中，所述容置部与所述插入部连接。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，

所述下电极还包括主体部，所述主体部位于所述插入部的上方并与所述插入部连为一体，所述主体部的宽度大于所述插入部的宽度。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，

所述主体部与所述容置部的顶面接触，且所述主体部和所述容置部的外周对齐连接。

4.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，

所述主体部的外周在所述衬底表面上的投影包覆所述容置部的外周在所述衬底表面上的投影。

5.根据权利要求2至4任一所述的半导体结构，其特征在于，

所述电容接触结构还包括连接部和底部，所述连接部位于所述容置部和所述底部之间，且所述容置部和所述底部分别位于所述连接部的两侧。

6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，

所述主体部在所述衬底表面上的投影包覆所述容置部以及所述底部在所述衬底表面上的投影。

7.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

第一支撑层，位于所述衬底表面，所述下电极穿过所述第一支撑层并与所述电容接触结构连接；

阻挡层，所述阻挡层包覆所述下电极的至少部分表面。

8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述电容结构还包括电容介质层和上电极，所述电容介质层覆盖所述下电极的至少部分表面，所述上电极覆盖所述电容介质层的表面。

9.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述电容接触结构包括多个所述容置口，所述下电极包括多个所述插入部，所述插入部和所述容置口数量相同且一一对应。

10.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

提供衬底；

在所述衬底内形成具有容置部的电容接触结构，所述容置部包括容置体和至少一个容置口；

在所述容置口中形成填充层；

在所述衬底和所述填充层上形成叠层结构；

在所述叠层结构中形成电容孔，所述电容孔暴露出所述电容接触结构和所述填充层；

去除所述填充层以暴露所述容置口；

在所述电容孔和所述容置口内形成下电极；

其中，所述下电极包括位于所述容置口内的插入部以及位于所述电容孔中的主体部。

11.根据权利要求10所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述包括容置体以及至少一个容置口的所述容置部的形成方法包括：

提供具有初始电容接触结构的衬底，所述初始电容接触结构包括连接部、底部和顶部，所述连接部连接所述顶部和所述底部，所述顶部和所述底部分别位于所述连接部的两侧，且所述衬底暴露所述初始电容接触结构的所述顶部的顶表面；

在所述衬底上形成具有开口图案的第一掩膜层，所述开口图案暴露所述初始电容接触结构的所述顶部的部分顶表面；

利用具有所述开口图案的第一掩膜层刻蚀所述初始电容接触结构的部分所述顶部形成所述容置口，所述顶部剩余的部分形成所述容置体。

12.根据权利要求11所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述电容孔的外周与所述容置部的外周对齐。