[发明专利]半导体结构及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底上包括依次形成的多晶硅层、第一导电层、第一介质层、掩膜层和牺牲层；其中，所述牺牲层具有多个间隔分布的第一沟槽且所述多晶硅层与所述衬底内的有源区电连接；

于所述牺牲层上形成第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述牺牲层的顶面、所述第一沟槽的底部和侧壁；

形成保护层，所述保护层仅覆盖位于所述牺牲层顶面上方的所述第一绝缘层的表面；

去除位于所述第一沟槽底部的所述第一绝缘层；

去除所述保护层、部分所述第一绝缘层、所述牺牲层和部分所述掩膜层，形成第一图案层；

以所述第一图案层为掩膜去除部分所述第一介质层、部分所述第一导电层、部分所述多晶硅层，以形成位线结构。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：

沉积碳材料于所述牺牲层顶面上方的所述第一绝缘层的表面，形成所述保护层。

3.根据权利要求2所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述形成保护层的步骤包括：

使CH₄经过等离子体反应分解成碳层，并沉积于所述牺牲层顶面上方的所述第一绝缘层的表面。

4.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：

形成所述第一绝缘层的方法为原子层沉积法。

5.根据权利要求4所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：

所述第一绝缘层的材料为二氧化硅。

6.根据权利要求5所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：

所述形成保护层的步骤之后原位进行所述去除位于所述第一沟槽底部的所述第一绝缘层的步骤。

7.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述去除位于所述第一沟槽底部的所述第一绝缘层包括：

以所述保护层为掩膜，利用蚀刻工艺刻蚀位于所述第一沟槽底部的所述第一绝缘层。

8.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述去除所述保护层、部分所述第一绝缘层、所述牺牲层和部分所述掩膜层，形成第一图案层的步骤包括：

利用刻蚀工艺去除所述保护层；

利用平坦化工艺去除所述牺牲层顶面上方的所述第一绝缘层；

利用刻蚀工艺去除所述牺牲层和部分所述掩膜 层。

9.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述衬底上还包括：

金属阻挡层，所述金属阻挡层位于所述多晶硅层和所述第一导电层之间。

10.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，在所述形成位线结构的步骤之后还包括：

形成位线隔离层，所述位线隔离层至少覆盖所述位线结构的侧壁。

11.根据权利要求10所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述形成位线隔离层的步骤包括：

形成第一隔离层，所述第一隔离层至少覆盖所述位线结构的侧壁；

形成第二隔离层，所述第二隔离层覆盖所述第一隔离层的表面；

形成第三隔离层，所述第三隔离层覆盖所述第二隔离层的表面；

其中，所述第一隔离层、所述第二隔离层和所述第三隔离层构成所述位线隔离层。

12.根据权利要求11所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：

形成所述第一隔离层的材料的致密度大于形成所述第二隔离层的材料的致密度且形成所述第一隔离层的材料的介电常数大于形成所述第二隔离层的材料的介电常数。

13.根据权利要求12所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：

形成所述第一隔离层的材料与形成所述第三隔离层的材料相同。