[发明专利]半导体封装结构及其形成方法

说明书

本发明的实施例提供了一种半导体封装结构，包括：基板；线路结构，设置在基板上并电连接至基板；模制化合物层，填充基板和线路结构之间的空间。本发明的目的在于提供一种半导体封装结构及其形成方法，以提高半导体封装结构的良率。

技术领域

本发明的实施例涉及半导体封装结构及其形成方法。

背景技术

随着封装技术的演进以及产品的高输入/输出(I/O)的需求，基板与芯片间需要有更多的线路结构来承先启后，传统常见的是2.1维(2.1D)的做法，即在基板上逐步利用凸块(bumping)技术制作细线路，用以承接芯片的I/O。随着线路的层数与面积的增大，此种作法伴随着很大的良率损失。

发明内容

针对相关技术中存在的问题，本发明的目的在于提供一种半导体封装结构及其形成方法，以提高半导体封装结构的良率。

为实现上述目的，本发明的实施例提供了一种半导体封装结构，包括：基板；线路结构，设置在基板上并电连接至基板；模制化合物层，填充基板和线路结构之间的空间。

在一些实施例中，模制化合物层还覆盖基板的顶面的位于线路结构正下方之外的部分。

在一些实施例中，模制化合物层的边缘与基板的侧面齐平。

在一些实施例中，线路结构为嵌入式迹线衬底。

在一些实施例中，暴露于线路结构的顶面处的迹线具有相对于顶面向下的凹陷。

在一些实施例中，还包括：通孔，位于暴露于线路结构的顶面处的迹线与基板之间，通孔的直径从上到下逐渐增大。

在一些实施例中，迹线的线宽小于2μm，迹线之间的间距小于2μm。

在一些实施例中，模制化合物层包封线路结构的侧面，并且线路结构的上表面低于模制化合物层的上表面。

在一些实施例中，线路结构与基板通过焊料进行电连接。

在一些实施例中，焊料包括锡球。

在一些实施例中，还包括：芯片，位于线路结构上；粘合层，位于线路结构和芯片之间。

在一些实施例中，粘合层延伸覆盖线路结构的顶面的位于芯片直接下方之外的部分。

在一些实施例中，粘合层延伸到芯片的侧面上。

本申请的实施例还提供一种形成半导体封装结构的方法，包括：在载体上形成种子层；在种子层上形成线路结构，线路结构包括介电层以及位于介电层中的迹线，迹线接触种子层；将线路结构电连接至基板；使用模制化合物层封装线路结构，模制化合物层填充基板和线路结构之间的空间。

在一些实施例中，还包括：使用平坦化工艺去除部分模制化合物层及载体，以暴露种子层。

在一些实施例中，还包括：蚀刻去除种子层，蚀刻还去除部分的迹线，使得迹线相对于介电层凹陷。

在一些实施例中，还包括：蚀刻去除种子层使得线路结构的顶面低于模制化合物层的顶面。

在一些实施例中，还包括：将芯片设置在线路结构上，芯片电连接至暴露的迹线。

在一些实施例中，平坦化工艺包括研磨工艺。

在一些实施例中，将线路结构电连接至基板包括：在线路结构上形成电连接迹线的锡球，将锡球接合至基板。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。