[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基板；

电子元件，位于所述基板上方；

导热元件，包括位于所述基板上方的柱体和覆盖在所述柱体上的导热材料层；

密封体，包覆所述导热元件和所述电子元件，所述导热元件比所述电子元件更靠近所述密封体的上表面。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

限位元件，邻近所述导热元件的底部设置并且在横向上与所述导热元件重叠。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，

所述限位元件包括所述基板的介电层和位于所述基板上的迹线。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述导热材料层还覆盖所述迹线。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述导热元件的顶面是朝向所述基板凹进的凹面。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

通孔，位于所述导热元件的顶面上并且通过所述密封体的所述上表面暴露。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，

所述导热元件包括第一导热元件和第二导热元件，所述第一导热元件的尺寸大于所述第二导热元件的尺寸。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，

所述基板具有第一区域和散热量大于所述第一区域的第二区域，其中，位于所述第二区域上的所述导热元件的密度大于位于所述第一区域上的所述导热元件的密度。

9.一种形成半导体结构的方法，其特征在于，包括：

在基板上方形成掩模，所述掩模具有暴露所述基板的开口并且覆盖所述基板上的电子元件；

在所述开口中形成导热元件，所述导热元件包括柱体和覆盖在所述柱体上的导热材料层，所述导热元件的高度大于所述电子元件的高度；

去除所述掩模并用密封体包覆所述导热元件和所述电子元件。

10.根据权利要求9所述的形成半导体结构的方法，其特征在于，在所述开口中形成导热元件包括：

使所述基板的上表面凹进以形成凹部；

在所述凹部中形成所述柱体。