[发明专利]半导体元件及其制作方法

权利要求书

1.一种制作半导体元件的方法，其特征在于，包含：

形成磁性隧穿结(magnetic tunneling junction,MTJ)于基底上；

形成第一金属间介电层环绕该磁性隧穿结；以及

进行氮化制作工艺以形成氮化层于该磁性隧穿结上。

2.如权利要求1所述的方法，其中该基底包含MRAM区域以及逻辑区域，该方法包含：

形成图案化掩模于该逻辑区域；

进行该氮化制作工艺将部分该第一金属间介电层转换为该氮化层；

形成第一金属内连线于该逻辑区域上；

形成停止层于该第一金属间介电层上；

形成第二金属间介电层于该停止层上；以及

形成第二金属内连线于该第二金属间介电层内并连接该磁性隧穿结。

3.如权利要求2所述的方法，其中该氮化层顶部切齐该第一金属内连线顶部。

4.如权利要求2所述的方法，其中该氮化层包含梯度氮浓度。

5.如权利要求1所述的方法，其中该氮化层的氮浓度朝该第一金属间介电层降低。

6.如权利要求1所述的方法，其中该氮化制作工艺包含等离子体辅助化学气相沉积制作工艺。

7.如权利要求1所述的方法，其中该氮化制作工艺包含氮气或氨气。

8.一种半导体元件，其特征在于，包含：

磁性隧穿结(magnetic tunneling junction,MTJ)，设于基底上；

第一金属间介电层，环绕该磁性隧穿结；以及

氮化层，设于该磁性隧穿结上。

9.如权利要求8所述的半导体元件，其中该基底包含MRAM区域以及逻辑区域，该半导体元件包含：

第一金属内连线，设于该逻辑区域；

停止层，设于该氮化层以及该第一金属内连线上；

第二金属间介电层，设于该停止层上；以及

第二金属内连线，设于该第二金属间介电层内并连接该磁性隧穿结，其中该氮化层环绕该第二金属内连线。

10.如权利要求9所述的半导体元件，其中该氮化层顶部切齐该第一金属内连线顶部。

11.如权利要求8所述的半导体元件，其中该氮化层包含梯度氮浓度。

12.如权利要求8所述的半导体元件，其中该氮化层的氮浓度朝该磁性隧穿结降低。

13.一种半导体元件，其特征在于，包含：

磁性隧穿结(magnetic tunneling junction,MTJ)，设于基底上；

上电极，设于该磁性隧穿结上；

第一金属间介电层，环绕该磁性隧穿结；

第二金属间介电层，设于该第一金属间介电层上；

金属内连线，设于该第二金属间介电层内并连接该磁性隧穿结；以及

突块，设于该金属内连线旁，其中该突块底部高于该上电极顶部。

14.如权利要求13所述的半导体元件，其中该突块以及该金属内连线包含相同材料。

15.如权利要求13所述的半导体元件，另包含遮盖层环绕该上电极以及该磁性隧穿结。

16.如权利要求15所述的半导体元件，其中该突块底部高于该遮盖层顶部。