[发明专利]半导体芯片以及包括该半导体芯片的半导体封装件在审
申请号: | 202010872766.4 | 申请日: | 2020-08-26 |
公开(公告)号: | CN112750802A | 公开(公告)日: | 2021-05-04 |
发明(设计)人: | 郑恩荣;李周益;韩正勋 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L23/492 | 分类号: | H01L23/492;H01L23/14;H01L23/31;H01L23/498 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 韩芳;张川绪 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 芯片 以及 包括 封装 | ||
1.一种半导体芯片,所述半导体芯片包括:
半导体基底,包括顶表面,顶部连接垫设置在顶表面中;以及
保护绝缘层,保护绝缘层中包括开口,保护绝缘层在半导体基底上不覆盖顶部连接垫的至少一部分,
其中,保护绝缘层包括:底部保护绝缘层;覆盖绝缘层,包括覆盖底部保护绝缘层的侧表面的至少一部分的侧覆盖部分和与侧覆盖部分分开设置以覆盖底部保护绝缘层的顶表面的至少一部分的顶覆盖部分;以及顶部保护绝缘层,位于顶覆盖部分上。
2.根据权利要求1所述的半导体芯片,其中,底部保护绝缘层还包括突起和台阶,
其中,台阶限定突起的与开口相邻的上部。
3.根据权利要求2所述的半导体芯片,其中,顶覆盖部分覆盖突起的顶表面,顶部保护绝缘层设置在突起上。
4.根据权利要求2所述的半导体芯片,其中,侧覆盖部分覆盖底部保护绝缘层的侧表面的至少一部分,所述侧表面的所述部分在标高上比台阶的底表面低。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体芯片,所述半导体芯片还包括阻挡层,
其中,阻挡层的至少一部分设置在顶部连接垫与底部保护绝缘层之间,
其中,开口穿过底部保护绝缘层和阻挡层。
6.根据权利要求5所述的半导体芯片,其中,侧覆盖部分被构造为在台阶与顶部连接垫的顶表面之间覆盖阻挡层的所有侧表面和底部保护绝缘层的侧表面的至少一部分。
7.根据权利要求5所述的半导体芯片,其中,侧覆盖部分包括:
第一侧部,覆盖阻挡层的侧表面的一部分;以及
第二侧部,覆盖底部保护绝缘层的侧表面的一部分,
其中,第一侧部和第二侧部彼此分开。
8.根据权利要求7所述的半导体芯片,其中,第一侧部与顶部连接垫分开。
9.根据权利要求5所述的半导体芯片,所述半导体芯片还包括在开口中由底部保护绝缘层的侧表面和阻挡层的顶表面限定的子台阶。
10.根据权利要求5所述的半导体芯片,其中,侧覆盖部分与顶部连接垫分开。
11.根据权利要求5所述的半导体芯片,其中,侧覆盖部分覆盖底部保护绝缘层的侧表面的至少一部分并且不覆盖阻挡层的侧表面。
12.一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:
第一半导体芯片,包括:第一顶部连接垫和第一底部连接垫,分别设置在第一半导体基底的顶表面和底表面上;第一保护绝缘层,第一保护绝缘层中包括第一开口,第一保护绝缘层在第一半导体基底上不覆盖第一顶部连接垫的至少一部分;以及第一贯穿电极,将第一顶部连接垫电连接到第一底部连接垫;以及
至少一个第二半导体芯片,包括:第二顶部连接垫,设置在第二半导体基底的顶表面上;第二保护绝缘层,第二保护绝缘层中包括第二开口,第二保护绝缘层在第二半导体基底上不覆盖第二顶部连接垫的至少一部分;以及内部连接端子,设置在第二顶部连接垫上并且通过第一半导体芯片的第一底部连接垫将第一半导体芯片电连接到所述至少一个第二半导体芯片,内部连接端子在第二开口中接触第二保护绝缘层的侧表面,
其中,所述至少一个第二半导体芯片堆叠在第一半导体芯片的底表面上,
其中,第一保护绝缘层包括:底部保护绝缘层;覆盖绝缘层,包括覆盖底部保护绝缘层的侧表面的至少一部分的侧覆盖部分和与侧覆盖部分分开设置以覆盖底部保护绝缘层的顶表面的至少一部分的顶覆盖部分;以及顶部保护绝缘层,位于顶覆盖部分上。
13.根据权利要求12所述的半导体封装件,其中,底部保护绝缘层和第二保护绝缘层包括相同的材料。
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