[发明专利]半导体封装结构在审
| 申请号： | 202010704682.X | 申请日： | 2020-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN113889453A | 公开（公告）日： | 2022-01-04 |
| 发明（设计）人： | 杨瑞纹;赖信诚;冯捷威;王泰瑞;锺育华;丁子洋 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/538;H01L23/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 结构 | ||
1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：
重布线层结构，具有相对的第一表面与第二表面；
芯片，设置于所述重布线层结构的所述第一表面上，且与所述重布线层结构电连接；
电子组件，设置于所述重布线层结构中，与所述芯片电连接，且包括设置于其中的介电层；以及
应力补偿层，设置于所述重布线层结构中，
其中所述介电层在垂直于所述第二表面的第一方向上提供50Mpa至200Mpa之间的第一应力，所述应力补偿层在与所述第一方向相反的第二方向上提供50Mpa至200Mpa之间的第二应力，且所述第一应力与所述第二应力之间的差不超过60Mpa。
2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一应力为张应力与压应力中的一个，且所述第二应力为张应力与压应力中的另一个。
3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述应力补偿层的材料包括氧化硅、氮化硅、氧化铝或其组合。
4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述介电层的材料包括氧化锌、氧化钛、氧化钽、氧化铝或其组合。
5.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述电子组件包括电容器、电阻器、电感器、滤波器、天线、晶体管或其组合。
6.根据权利要求5所述的半导体封装结构，其特征在于，所述电子组件为电容器，其中所述电容器包括上电极、下电极以及位于其间的所述介电层，且所述应力补偿层设置于所述上电极与所述介电层之间。
7.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述应力补偿层设置于所述电子组件与所述重布线层结构的线路层上方。
8.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述应力补偿层仅设置于所述电子组件上方。
9.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述应力补偿层设置于所述电子组件与所述重布线层结构的线路层的周围。
10.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述应力补偿层设置于所述电子组件与所述重布线层结构的线路层下方。
11.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述应力补偿层仅设置于所述电子组件下方。
12.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括承载基板，设置于所述第二表面上。
13.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：
重布线层结构，具有相对的第一表面与第二表面；
芯片，设置于所述重布线层结构的所述第一表面上，且与所述重布线层结构电连接；
电子组件，设置于所述重布线层结构中，与所述芯片电连接，且包括设置于其中的介电层；以及
应力补偿层，设置于所述重布线层结构的外部，
其中所述介电层在垂直于所述第二表面的第一方向上提供50Mpa至200Mpa之间的第一应力，所述应力补偿层在与所述第一方向相反的第二方向上提供50Mpa至200Mpa之间的第二应力，且所述第一应力与所述第二应力之间的差不超过60Mpa。
14.根据权利要求13所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一应力为张应力与压应力中的一个，且所述第二应力为张应力与压应力中的另一个。
15.根据权利要求13所述的半导体封装结构，其特征在于，所述应力补偿层的材料包括氧化硅、氮化硅、氧化铝或其组合。
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