[发明专利]半导体元件

说明书

一种半导体元件，包括第一导电部件、第二导电部件、和第一介电层位于第一导电部件和第二导电部件之间。蚀刻停止层(etch stop layer)于第一介电层上。盖层(cap layer)于第一导电部件、第二导电部件、和蚀刻停止层上。

技术领域

本公开实施例涉及半导体元件及其形成方法，特别涉及接触件的形成。

背景技术

接触件是用以在半导体元件中的不同部件之中或之间形成电连接。举例来说，接触件是用以连接一金属层至另一金属层或另一元件层，此些金属层彼此电性隔离，如通过隔绝或介电材料以分开此些金属层。

发明内容

一种半导体元件，包括：第一导电部件；第二导电部件；第一介电层，位于第一导电部件和第二导电部件之间；蚀刻停止层(etch stop layer)，于第一介电层上；以及盖层(cap layer)，于第一导电部件、第二导电部件、和蚀刻停止层上，其中盖层邻近蚀刻停止层的侧壁。

一种半导体元件的形成方法，包括：形成第一导电部件；形成第一介电层邻近第一导电部件；选择性地形成阻挡层(blocking layer)于第一导电部件的顶面上，其中在形成阻挡层之后，第一介电层的顶面维持露出；形成蚀刻停止层于第一介电层的顶面上，而阻挡层位于第一导电部件的顶面上；移除阻挡层；在移除阻挡层之后，形成第二介电层于蚀刻停止层和第一导电部件上；以及形成接触件延伸穿过第二介电层的至少一部分。

一种半导体元件的形成方法，包括：形成第一导电部件和第二导电部件；形成第一介电层于第一导电部件和第二导电部件之间，其中气隙定义于第一介电层中；选择性地形成阻挡层于第一导电部件的顶面上和第二导电部件的顶面上；在选择性地形成阻挡层之后，形成蚀刻停止层于第一介电层的顶面上；在形成蚀刻停止层之后，移除阻挡层；在移除阻挡层之后，形成第二介电层于蚀刻停止层、第一导电部件、和第二导电部件上；形成接触开口于第二介电层中，以露出第一导电部件和蚀刻停止层的一部分；以及形成接触件于接触开口中。

附图说明

以下将配合附图详述本公开的各面向。应注意的是，依据在业界的标准做法，各种特征并未按照比例绘制。事实上，可任意地放大或缩小元件的尺寸，以清楚地表现出本公开的特征。

第1至10图是根据一些实施例，半导体元件在各种制造阶段的示意图。

附图标记说明：

2：鳍式场效晶体管

4：鳍片

6：隔离结构

8：栅极结构

10：侧壁间隔物

12：源极/漏极区

100：半导体元件

105：半导体层

110：元件层

115：第一金属化层

120,125,160,185：介电层

122：栅极接触

130,145A,145B,145C：导电部件

135：盖层

140：粘着层

145：导电层

147：凹槽

150：硬遮罩层

155：包封层

165：气隙

167：第二金属化层

170：阻挡层