[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

第一导电层；

位于所述第一导电层上的介质层，所述介质层内具有开口，且所述开口暴露出所述第一导电层表面；

位于所述开口内的第二导电层，所述第二导电层顶部表面齐平或者低于所述介质层顶部表面；

位于所述开口侧壁表面的缝隙层，且所述缝隙层位于所述介质层和第二导电层之间。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述缝隙层的材料为导电材料。

3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述缝隙层的材料包括：钨。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二导电层顶部表面低于所述介质层顶部表面。

5.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述第二导电层表面的第三导电层，且所述第二导电层和第三导电层填充满所述开口。

6.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述缝隙层的材料和所述第三导电层的材料相同。

7.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供第一导电层；

在所述第一导电层上形成介质层，所述介质层内具有开口，且所述开口暴露出所述第一导电层表面；

在所述开口内形成第二导电层，所述第二导电层顶部表面齐平或者低于所述介质层顶部表面；

在所述开口侧壁表面形成缝隙层，且所述缝隙层位于所述介质层和第二导电层之间。

8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述缝隙层的材料为导电材料。

9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述缝隙层的材料包括：钨。

10.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述缝隙层的形成方法包括：在所述开口侧壁表面和介质层顶部表面形成缝隙材料层，且所述缝隙材料层位于第二导电层和介质层之间；平坦化所述缝隙材料层，直至暴露出介质层表面，在所述开口侧壁表面形成缝隙层。

11.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二导电层顶部表面低于所述介质层顶部表面。

12.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：形成缝隙材料层之后，平坦化所述缝隙材料层之前，在所述缝隙材料层表面形成第三导电材料层；平坦化所述缝隙材料层和第三导电材料层，直至暴露出介质层顶部表面，使所述第三导电材料层形成第三导电层，使所述缝隙材料层形成缝隙层，且所述第二导电层和第三导电层填充满所述开口。

13.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述缝隙材料层的形成方法包括：在所述开口侧壁表面和介质层顶部表面形成初始缝隙材料层；对所述初始缝隙材料层进行改性处理，使所述初始缝隙材料层形成所述缝隙材料层。

14.如权利要求13所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述初始缝隙材料层进行改性处理的过程中，还形成所述第三导电材料层。

15.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述初始缝隙材料层的材料包括：半导体材料或者导电材料。

16.如权利要求15所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述半导体材料包括：硅。