[发明专利]半导体封装件

权利要求书

1.一种半导体封装件，包括：

第一衬底；

第二衬底，安置在所述第一衬底上；

第一半导体芯片，安置在所述第二衬底上；以及

加强件，从所述第一衬底的上表面延伸到所述第二衬底的上表面，所述加强件不与所述第一半导体芯片接触，

其中从所述第一衬底的所述上表面到所述第一半导体芯片的上表面的第一高度大于从所述第一衬底的所述上表面到所述加强件的最上表面的第二高度。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件，还包括：

第一气隙，处于所述加强件与所述第二衬底的侧壁之间。

3.根据权利要求2所述的半导体封装件，还包括：

第二气隙，处于所述加强件与所述第一半导体芯片之间。

4.根据权利要求1所述的半导体封装件，还包括：

界面膜，处于所述第二衬底与所述加强件之间，

其中所述界面膜包括热导率为10W/(m·K)或大于10W/(m·K)的第一材料与矽酮树脂的组合。

5.根据权利要求1所述的半导体封装件，还包括：

第二半导体芯片，安置在所述第二衬底上，所述第二半导体芯片与所述第一半导体芯片水平地间隔开；以及

气隙，处于所述加强件与所述第二半导体芯片之间。

6.根据权利要求5所述的半导体封装件，其中所述加强件在所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片之间进一步延伸。

7.根据权利要求5所述的半导体封装件，其中所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片通过所述第二衬底彼此电连接。

8.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中所述第一衬底还包括第一区域和包围所述第一区域的第二区域，以及

所述第二衬底安置在所述第一区域中，且所述加强件沿着所述第二区域延伸。

9.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中所述第一衬底包括在第一方向上延伸的第一侧和在第二方向上延伸的第二侧，

所述第二衬底包括在第三方向上延伸的第三侧和在第四方向上延伸的第四侧，以及

所述第一方向、所述第二方向、所述第三方向、所述第四方向在平面视图中彼此不同。

10.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中所述第二衬底包括在第一方向上延伸的第一侧和在第二方向上延伸的第二侧，

所述第一半导体芯片包括在第三方向上延伸的第三侧和在第四方向上延伸的第四侧，以及

所述第一方向、所述第二方向、所述第三方向、所述第四方向在平面视图中彼此不同。

11.一种半导体封装件，包括：

第一衬底；

第二衬底，安置在所述第一衬底上；

第一半导体芯片，安置在所述第二衬底上；

加强件，从所述第一衬底的上表面延伸到所述第二衬底的上表面，所述加强件不与所述第一半导体芯片接触；以及

第一气隙，处于所述加强件与所述第二衬底的侧壁之间。

12.根据权利要求11所述的半导体封装件，其中从所述第一衬底的所述上表面到所述第一半导体芯片的上表面的第一高度大于从所述第一衬底的所述上表面到所述加强件的上表面的第二高度。

13.根据权利要求11所述的半导体封装件，还包括：

第二气隙，处于所述加强件与所述第一半导体芯片之间。

14.根据权利要求11所述的半导体封装件，还包括：

界面膜，安置在所述第二衬底与所述加强件之间，

其中所述界面膜包括热导率为10W/(m·K)或大于10W/(m·K)的第一材料与矽酮树脂的组合。