[发明专利]半导体结构、封装结构及形成半导体结构的方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其中，包括：

集成电路管芯，包括多个凸块接垫；

多个导电凸块，设置在所述多个凸块接垫上，所述多个导电凸块中的每一者分别包括：

第一柱部分，设置在所述多个凸块接垫中的一者上；及

第二柱部分，设置在所述第一柱部分上，所述第二柱部分经由所述第一柱部分电连接到所述多个凸块接垫中的一者，且所述第一柱部分的第一宽度大于所述第二柱部分的第二宽度。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述多个导电凸块的高度对所述集成电路管芯的厚度的比率处于从约0.05到约1的范围内。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述多个导电凸块排列成阵列，所述第一宽度对所述多个导电凸块的排列节距的第一比率处于从约0.7到约0.8的范围内，且所述第二宽度对所述多个导电凸块的所述排列节距的第二比率处于从约0.4到约0.6的范围内。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述第一柱部分的第一高度对所述第二柱部分的第二高度的比率处于从约1到约5的范围内。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述第二宽度对所述第一宽度的比率大于约0.5且小于约1。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，还包括部分地包封所述多个导电凸块的多个侧壁的介电层。

7.一种封装结构，其中，包括：

电路衬底；

半导体结构，包括：集成电路管芯，包括多个凸块接垫；及设置在所述多个凸块接垫上的多个导电凸块，所述多个导电凸块中的每一者分别包括设置在所述多个凸块接垫中的一者上的第一柱部分及设置在所述第一柱部分上的第二柱部分，所述第二柱部分经由所述第一柱部分分别电连接到所述多个凸块接垫中的一者，所述第一柱部分的第一宽度大于所述第二柱部分的第二宽度，且所述集成电路管芯设置在所述电路衬底上且经由所述多个导电凸块电连接到所述电路衬底；

存储器立方体，设置在所述电路衬底上且电连接到所述电路衬底；以及

绝缘包封体，横向地包封所述集成电路管芯及所述存储器立方体，所述集成电路管芯的后表面从所述绝缘包封体可触及地暴露出来。

8.一种形成半导体结构的方法，包括：

在包括多个凸块接垫的集成电路管芯上形成晶种层；

在所述晶种层之上形成第一图案化光刻胶层，所述第一图案化光刻胶层的多个第一开口暴露出所述集成电路管芯的所述多个凸块接垫；

在由所述第一图案化光刻胶层的所述多个第一开口暴露出的所述晶种层的多个部分上形成多个第一柱部分；

在所述第一图案化光刻胶层上形成第二图案化光刻胶层，所述第二图案化光刻胶层的多个第二开口暴露出所述多个第一柱部分；以及

在由所述第二图案化光刻胶层的所述多个第二开口暴露出的所述多个第一柱部分的多个部分上形成多个第二柱部分，其中所述多个第一柱部分的第一宽度大于所述多个第二柱部分的第二宽度。

9.根据权利要求8所述的方法，其中形成在所述晶种层之上的所述第一图案化光刻胶层比所述第二图案化光刻胶层厚。

10.根据权利要求8所述的方法，其中所述第二图案化光刻胶层形成为覆盖所述第一图案化光刻胶层且覆盖所述多个第一柱部分的多个顶表面的部分。