[实用新型]一种发光二极管芯片有效
| 申请号： | 201920338507.6 | 申请日： | 2019-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN209461490U | 公开（公告）日： | 2019-10-01 |
| 发明（设计）人： | 唐军;齐胜利;刘亚柱;潘尧波;陈志忠;詹景麟;康香宁;焦飞;张国义;沈波 | 申请（专利权）人： | 合肥彩虹蓝光科技有限公司;北京大学 |
| 主分类号： | H01L33/62 | 分类号： | H01L33/62;H01L33/48 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 王华英 |
| 地址： | 230011 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体层 金属电极 衬底 发光二极管芯片 金属层 本实用新型 发光层 纳米柱 发光二极管芯片结构 外延结构 暴露 | ||
1.一种发光二极管芯片，其特征在于，包括：
衬底；
外延结构，位于所述衬底上，包括第二半导体层，发光层，第一半导体层；
金属层，位于所述位于结构上的第一半导体层上；
凹槽，位于衬底上，暴露部分所述第二半导体层；
金属电极，位于所述金属层及暴露的第二半导体层上，包括第一金属电极，第二金属电极；
纳米柱，位于所述衬底上，包括所述第一金属电极，所述金属层，所述第一半导体层，所述发光层以及部分所述第二半导体层。
2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述第二半导体层位于所述衬底上，所述发光层位于所述第二半导体层上，所述第一半导体层位于所述发光层上。
3.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述凹槽包括所述金属层，所述第一半导体层，所述发光层以及部分所述第二半导体层。
4.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述第一金属电极与所述第二金属电极的高度相等。
5.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述发光二极管芯片包括多个纳米柱，所述纳米柱包括多种不同的结构。
6.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述发光二极管芯片还包括绝缘层，所述绝缘层位于相邻所述纳米柱之间，以及位于所述第一金属电极以及所述第二金属电极之间。
7.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述发光二极管芯片还包括金属焊盘，所述金属焊盘位于所述金属电极上。
8.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述发光二极管芯片还包括倒装焊接部分，所述倒装焊接部分位于所述发光二极管芯片对应的位置上。
9.根据权利要求8所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述倒装焊接部分包括基板，绝缘层，焊盘金属层，所述绝缘层位于所述基板上，所述焊盘金属层位于所述绝缘层上。
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