[发明专利]半导体封装及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装，其包括：

半导体裸片，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；

传导性布线层，其与所述半导体裸片堆叠且接近所述第一表面；

封装体，其包封所述半导体裸片且与所述传导性布线层堆叠；以及

替换结构，其从所述封装体暴露且无填充物。

2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述封装体包括所述填充物。

3.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述半导体裸片的侧表面与所述替换结构间隔开约3μm到约10μm的距离，所述侧表面连接所述第一表面和所述第二表面。

4.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述替换结构的高度大于所述第一表面与所述第二表面之间的距离。

5.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述替换结构包围所述半导体裸片的四个侧面。

6.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述替换结构的高度与所述封装体的高度大体上相同。

7.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述替换结构包括接近所述半导体裸片的所述第一表面的较宽末端和接近所述半导体裸片的所述第二表面的较窄末端。

8.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述传导性布线层为扇出型重新分布层RDL。

9.根据权利要求8所述的半导体封装，其进一步包括电连接到所述扇出型RDL的衬底。

10.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述第二表面、所述封装体和所述替换结构大体上共面。

11.一种半导体封装，其包括：

半导体裸片，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；

传导性布线层，其与所述半导体裸片堆叠且接近所述第一表面；

封装体，其包封所述半导体裸片且与所述传导性布线层堆叠，所述封装体具有第一模量；以及

替换结构，其从所述封装体暴露且具有第二模量，

其中所述第二模量大于所述第一模量。

12.根据权利要求11所述的半导体封装，其中所述传导性布线层包括第三模量，其中所述第二模量大于所述第三模量。

13.根据权利要求11所述的半导体封装，其中所述半导体裸片的侧表面与所述替换结构间隔开约3μm到约10μm的距离，所述侧表面连接所述第一表面和所述第二表面。

14.根据权利要求11所述的半导体封装，其中所述封装体包括填充物且所述替换结构无所述填充物。

15.根据权利要求11所述的半导体封装，其中所述替换结构包括陶瓷、玻璃或呈环氧基体形式的预浸渍复合光纤。

16.根据权利要求11所述的半导体封装，其中所述替换结构包围所述半导体裸片的四个侧面。

17.根据权利要求11所述的半导体封装，其中所述替换结构的高度大于所述第一表面与所述第二表面之间的距离。

18.一种用于制造半导体封装的方法，其包括：

提供具有第一表面的第一载体；

将替换结构安置在所述第一表面上方；以及

将所述第一载体上的所述替换结构啮合到承载多个半导体裸片的第二载体，所述替换结构与将邻近的半导体裸片隔开的区域对准。