[发明专利]一种封装结构及其制备方法

权利要求书

1.一种封装结构，其特征在于，所述封装结构至少包括：

第二重新布线层，所述第二重新布线层设有上表面和与上表面对应的下表面；

第一重新布线层，所述第一重新布线层设有第一表面和与第一表面对应的第二表面，所述第一重新布线层经由第一表面装设于所述第二重新布线层的上表面，所述第一重新布线层与所述第二重新布线层电连接；

半导体芯片，正面朝下倒装于所述第一重新布线层的第二表面，且与所述第一重新布线层电连接；

塑封层，塑封于所述半导体芯片的外围，且所述塑封层远离所述第一重新布线层的表面与所述半导体芯片的背面平齐；

散热件，与所述半导体芯片的背面接触；

球栅阵列，设于所述第二重新布线层的下表面，且与所述第二重新布线层电连接。

2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括填料层，所述填料层填满所述半导体芯片与所述第一重新布线层之间的间隙。

3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第二重新布线层与所述第一重新布线层分别包括介电层以及位于所述介电层中的金属叠层结构，所述金属叠层结构包括多层间隔排布的金属线层及金属插塞，所述金属插塞位于相邻所述金属线层之间，以将相邻的所述金属线层电连接。

4.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述介电层的材料包括SiO₂、PI或PBO中的任意一种。

5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述散热件包括散热片，所述半导体芯片的背面与所述散热片相接触。

6.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构内所述半导体芯片的数量包括至少两个，多个所述半导体芯片均正面朝下倒装于所述第一重新布线层的第二表面，相邻半导体芯片之间具有间距。

7.一种封装结构的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

1)提供一载板，所述载板设有上表面和与所述上表面对应的下表面，于所述载板的上表面形成第一重新布线层，所述第一重新布线层设有第一表面及与所述第一表面对应的第二表面，所述第一重新布线层的第一表面与所述载板的上表面相接触；

2)提供半导体芯片，将所述半导体芯片倒置于所述第一重新布线层的第二表面，所述半导体芯片与所述第一重新布线层电连接；

3)于步骤2)形成的结构表面形成塑封层；

4)去除所述载板，暴露出所述第一重新布线层；

5)于所述第一重新布线层的第一表面形成第二重新布线层，所述第二重新布线层设有上表面和与上表面对应的下表面，所述第二重新布线层经上表面与所述第一重新布线层电连接，并于所述第二重新布线层的下表面形成球栅阵列，所述球栅阵列与所述第二重新布线层电连接；

6)去除部分所述塑封层，以使得保留的所述塑封层的表面与所述半导体芯片的背面相平齐；

7)提供一散热件，所述散热件与所述半导体芯片的背面接触。

8.根据权利要求7所述的封装结构的制备方法，其特征在于，步骤1)中，于所述载板的上表面形成第一重新布线层包括如下步骤：

于所述载板的上表面形成第一金属线层；

于上述步骤形成的结构上表面形成介电层；

于所述介电层内形成与所述第一金属线层电性连接的其他金属线层，相连金属线层之间经由金属插塞电连接，从而形成金属叠层结构。

9.根据权利要求7所述的封装结构的制备方法，其特征在于，步骤5)中，于所述第一重新布线层的第一表面形成第二重新布线层包括如下步骤：

于所述第一重新布线层的第一表面形成第一金属线层；

于上述步骤形成的结构上表面形成介电层；

于所述介电层内形成与所述第一金属线层电性连接的其他金属线层，相连金属线层之间经由金属插塞电连接，从而形成金属叠层结构。