[发明专利]半导体结构及其制作方法

说明书

本公开提供一种半导体结构及其制作方法，涉及半导体制造技术领域，该结构包括：场效应晶体管，包括栅极和栅氧化层；金属线，与所述栅极连接；电阻，与所述金属线串接；其中，所述电阻的方块电阻阻值大于所述金属线的方块电阻阻值。本公开实施例提供的半导体结构可以降低脉冲电压对场效应晶体管的栅氧化层的破坏。

技术领域

本公开涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体结构及其制作方法。

背景技术

金属-氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor，MOSFET)在半导体工艺制造中被广泛使用，但是其栅氧化层很容易受到半导体工艺中的等离子体制程工艺的影响。当使用等离子体刻蚀对MOSFET半导体器件进行刻蚀时，会在MOSFET体器件上产生一个峰值很高的电压脉冲，该电压脉冲会对MOSFET器件造成很多不利的影响，例如：击穿栅氧化层、导致栅氧化物漏电流增大、导致场效应警惕管的阈值电压退化、导致栅氧化物的生命周期缩短等。

因此，一种可以降低脉冲电压对MOSFET器件的栅氧化层的破坏的半导体结构对半导体工艺是极其具有意义的。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

有鉴于此，本公开提供一种半导体结构，能够在一定程度上降低电压脉冲对场效应晶体管的栅氧化层的破坏。

本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本公开的实践而习得。

根据本公开实施例的第一个方面，提出一种半导体结构，该半导体结构包括：场效应晶体管，包括栅极和栅氧化层；金属线，与所述栅极连接；电阻，与所述金属线串接；其中，所述电阻的方块电阻阻值大于所述金属线的方块电阻阻值。

在一些实施例中，所述金属线设置于所述电阻的上层；其中，所述金属线通过第一通孔和第二通孔与所述电阻串接；所述金属线对应所述电阻的位置具有开口区域。

在一些实施例中，所述金属线包括第一段和第二段；其中，所述金属线的第一段与所述栅极通过第三通孔电连接；所述金属线的第二段电连接至焊盘。

在一些实施例中，所述栅极和所述电阻同层设置。

在一些实施例中，所述栅极为多晶硅栅极，所述电阻为多晶硅电阻。

在一些实施例中，所述电阻包括多个串联的多晶硅电阻。

在一些实施例中，所述电阻的阻值范围是100～150欧姆。

在一些实施例中，所述金属线的方块电阻阻值范围是4～6欧姆。

在一些实施例中，所述栅氧化层是薄栅氧化层或者厚栅氧化层。

在一些实施例中，所述金属线是钨金属线。

根据本公开实施例的第二个方面，提出一种半导体结构的制作方法，所述半导体结构的制作方法包括：在基底上形成场效应晶体管的栅氧化层；在所述栅氧化层上方形成电阻和所述场效应晶体管的栅极；在所述电阻上方形成第一通孔和第二通孔，并在所述栅极上方形成第三通孔；在所述第一通孔、第二通孔以及所述第三通孔的上方形成金属层；利用等离子蚀刻工艺对所述金属层进行蚀刻以形成金属线，所述金属线包括第一段和第二段，所述第一段和所述第二段之间具有开口区域，所述开口区域对应所述电阻的位置；所述第一段的一端通过所述第三通孔与所述栅极电连接，所述第一段的另一端通过所述第一通孔与所述电阻电连接，所述第二段的一端通过所述第二通孔与所述电阻电连接。

在一些实施例中，所述半导体结构的制作方法还包括：在形成金属线的同时形成焊盘，所述焊盘与所述第二段的另一端电连接。