[发明专利]半导体结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201910630450.1 | 申请日： | 2019-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN112216689A | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 李雄 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 孙宝海;袁礼君 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制作方法 | ||
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
场效应晶体管，包括栅极和栅氧化层；
金属线，与所述栅极连接；
电阻，与所述金属线串接；
其中，所述电阻的方块电阻阻值大于所述金属线的方块电阻阻值。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述金属线设置于所述电阻的上层；其中，
所述金属线通过第一通孔和第二通孔与所述电阻串接；
所述金属线对应所述电阻的位置具有开口区域。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述金属线包括第一段和第二段；其中，
所述金属线的第一段与所述栅极通过第三通孔电连接；
所述金属线的第二段电连接至焊盘。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极和所述电阻同层设置。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极为多晶硅栅极，所述电阻为多晶硅电阻。
6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述电阻包括多个串联的多晶硅电阻。
7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述电阻的阻值范围是100～150欧姆。
8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述金属线的方块电阻阻值范围是4～6欧姆。
9.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅氧化层是薄栅氧化层或者厚栅氧化层。
10.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述金属线是钨金属线。
11.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：
在基底上形成场效应晶体管的栅氧化层；
在所述栅氧化层上方形成电阻和所述场效应晶体管的栅极；
在所述电阻上方形成第一通孔和第二通孔，并在所述栅极上方形成第三通孔；
在所述第一通孔、第二通孔以及所述第三通孔的上方形成金属层；
利用等离子蚀刻工艺对所述金属层进行蚀刻以形成金属线，所述金属线包括第一段和第二段，所述第一段和所述第二段之间具有开口区域，所述开口区域对应所述电阻的位置；所述第一段的一端通过所述第三通孔与所述栅极电连接，所述第一段的另一端通过所述第一通孔与所述电阻电连接，所述第二段的一端通过所述第二通孔与所述电阻电连接。
12.根据权利要求11所述的制作方法，其特征在于，还包括：
在形成金属线的同时形成焊盘，所述焊盘与所述第二段的另一端电连接。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
