[发明专利]半导体封装件和方法

说明书

在实施例中，一种器件包括：第一再分布结构，包括第一介电层；管芯，粘附至第一再分布结构的第一侧；密封剂，横向密封管芯，密封剂通过第一共价键与第一介电层接合；穿过密封剂的通孔；第一导电连接器，电连接至第一再分布结构的第二侧，第一导电连接器的子集与密封剂和管芯的界面重叠。本发明实施例涉及半导体封装件和方法。

技术领域

本发明实施例涉及半导体封装件和方法。

背景技术

由于各种电子组件(例如，晶体管，二极管，电阻器，电容器等)的集成密度的不断提高，半导体工业经历了快速增长。在大多数情况下，集成密度的提高是由于最小部件尺寸的迭代减少所致，这允许将更多组件集成到给定区域中。随着对缩小电子器件的需求的增长，出现了对更小和更有创意的半导体管芯的封装技术的需求。这种封装系统的一个实例是叠层封装(PoP)技术。在PoP器件中，顶部半导体封装件堆叠在底部半导体封装件的顶部上，以提供高水平的集成度和元件密度。PoP技术通常能够在印刷电路板(PCB)上生产具有增强功能和小占用面积的半导体器件。

发明内容

根据本发明的一些是实施例，提供了一种半导体器件，包括：第一再分布结构，包括第一介电层；管芯，粘附至所述第一再分布结构的第一侧；密封剂，横向密封所述管芯，所述密封剂通过第一共价键接合至所述第一介电层；通孔，延伸穿过所述密封剂；和第一导电连接器，电连接至所述第一再分布结构的第二侧，所述第一导电连接器的子集与所述密封剂和所述管芯的界面重叠。

根据本发明的另一些实施例，还提供了一种形成半导体器件的方法，包括：在第一金属化图案上方形成第一介电层；形成延伸穿过所述第一介电层的通孔，所述通孔电连接至所述第一金属化图案；将管芯粘附至所述第一介电层的第一表面；利用第一共价键将密封剂接合至所述第一介电层的第一表面，所述密封剂横向密封所述管芯和所述通孔；在所述密封剂上方形成第二介电层；和形成延伸通过所述第二介电层的第二金属化图案，所述第二金属化图案电连接至所述管芯和所述通孔。

根据本发明的另一些实施例，还提供了一种形成半导体器件的方法，包括：穿过第一介电层利用晶种层镀通孔；蚀刻所述晶种层的暴露部分，蚀刻所述晶种层后保留晶种层的残余金属；处理所述第一介电层的第一表面以使所述第一表面羟基化并且从所述第一表面去除所述晶种层的残余金属；将管芯粘附至羟基化的第一表面；和利用第一共价键将密封剂接合至所述羟基化的第一表面，所述密封剂横向密封所述管芯和所述通孔；和在所述密封剂和所述管芯上方形成第二介电层。

附图说明

当接合附图阅读时，从以下详细描述中可以最好地理解本公开的各方面。应注意，根据工业中的标准实践，各种部件未按比例绘制。实际上，为了清楚讨论，可以任意增加或减少各种部件的尺寸。

图1至图12示出了根据一些实施例的用于形成器件封装件的工艺期间的中间步骤的截面图。

图13A至图14示出了根据一些实施例的用于形成封装结构的工艺期间的中间步骤的截面图。

具体实施方式

以下公开内容提供了许多用于实现本发明的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本发明。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本发明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件以直接接触的方式形成的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本发明可在各个实例中重复参考标号和/或字符。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。

而且，为了便于描述，在此可以使用诸如“在…下方”、“在…下面”、“下部”、“在…之上”、“上部”等空间相对术语以描述如图所示的一个元件或部件与另一个(或另一些)元件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间相对术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。器件可以以其他方式定向(旋转90度或在其他方位上)，并且在此使用的空间相对描述符可以同样地作出相应的解释。