[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201910115198.0 | 申请日： | 2019-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN110890341B | 公开（公告）日： | 2023-10-27 |
| 发明（设计）人： | 铃木优;菊地祥子;稻叶芽里;村上润;重冈隆;稻垣洋;奥畠隆嗣 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/528;H01L23/538;H01L23/482 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
实施方式提供一种较好运行的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：半导体衬底；多个第1焊垫电极，设置于半导体衬底；多条第1配线，与多个第1焊垫电极分别电气连接；第1电极，与多条第1配线共通连接；第2焊垫电极，设置于半导体衬底；及第1电阻部与第1保护元件，串联连接于第1电极与第2焊垫电极之间。
[相关申请]
本申请享受以日本专利申请2018-168455号(申请日：2018年9月10日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。
技术领域
本实施方式涉及一种半导体装置。
背景技术
高速运行的半导体装置受到期待。
发明内容
实施方式提供一种较好运行的半导体装置。
实施方式的半导体装置具备：半导体衬底；多个第1焊垫电极，设置于半导体衬底；多条第1配线，与多个第1焊垫电极分别电气连接；第1电极，与多条第1配线共通连接；第2焊垫电极，设置于半导体衬底；及第1电阻部与第1保护元件，串联连接于第1电极与第2焊垫电极之间。
附图说明
图1是第1实施方式的半导体装置的示意框图。
图2是该半导体装置的示意侧视图。
图3是该半导体装置的示意俯视图。
图4是第1实施方式的保护电路的电路示意图。
图5是比较例的保护电路的电路示意图。
图6是表示保护电路的信号的波形示意图。
图7是表示保护电路的信号的波形示意图。
图8是表示保护电路的信号的波形示意图。
图9是第1构成例的半导体装置的示意剖视图。
图10是该半导体装置的示意俯视图。
图11是第2构成例的半导体装置的示意剖视图。
图12是该半导体装置的示意俯视图。
图13是第3构成例的半导体装置的示意剖视图。
图14是该半导体装置的示意俯视图。
图15是第4构成例的半导体装置的示意剖视图。
图16是该半导体装置的示意俯视图。
图17是第5构成例的半导体装置的示意剖视图。
图18是该半导体装置的示意俯视图。
图19是第6构成例的半导体装置的示意剖视图。
图20是该半导体装置的示意俯视图。
图21是第7构成例的半导体装置的示意俯视图。
图22是第8构成例的半导体装置的示意俯视图。
图23是第2实施方式的半导体装置的示意俯视图。
图24是表示可变电阻元件VR的构成的示意图。
具体实施方式
接下来，参照附图，对实施方式的半导体装置详细地进行说明。此外，以下实施方式终归只不过是一个例子，而并非要限定本发明。
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