[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其具备：

半导体衬底；

多个第1焊垫电极，设置于所述半导体衬底；

多条第1配线，与所述多个第1焊垫电极分别电气连接；

第1电极，与所述多条第1配线共通连接；

第2焊垫电极，设置于所述半导体衬底；及

第1电阻部与第1保护元件，串联连接于所述第1电极与所述第2焊垫电极之间。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其具备：

多条第2配线，与所述多个第1焊垫电极分别电气连接；

第2电极，与所述多条第2配线共通连接；

第3焊垫电极，设置于所述半导体衬底；及

第2电阻部与第2保护元件，串联连接于所述第2电极与所述第3焊垫电极之间。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中

所述多条第1配线各者的阻抗、或所述多条第2配线各者的阻抗中，至少某一种阻抗大体一致。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其

具备一个或多个配线层，且

所述一个或多个配线层包含作为所述多个第1焊垫电极、所述多条第1配线、所述第1电极、所述多条第2配线、所述第2电极、所述第2焊垫电极、所述第3焊垫电极、所述第1电阻部、所述第2电阻部、所述第1保护元件及所述第2保护元件中的至少一者发挥作用的配线部件及接点部件中的至少一者。

5.根据权利要求2所述的半导体装置，其

具备含有工作区域的半导体衬底，且

所述第1保护元件具有所述半导体衬底的工作区域的一部分、设置于所述工作区域的一部分的第1绝缘膜、及设置于所述第1绝缘膜的第1下部电极，

所述第2保护元件具有所述半导体衬底的工作区域的一部分、设置于所述工作区域的一部分的第2绝缘膜、及设置于所述第2绝缘膜的第2下部电极。

6.根据权利要求2所述的半导体装置，其中

所述多个第1焊垫电极、所述第2焊垫电极及所述第3焊垫电极沿着第1方向排列，且

所述多条第1配线中的至少一者具有：多个第1延伸部，沿着所述第1方向延伸；及多个第2延伸部，沿着与所述第1方向交叉且位于所述半导体衬底的面内的第2方向延伸；

所述多条第2配线中的至少一者具有：多个第3延伸部，沿着所述第1方向延伸；及多个第4延伸部，沿着与所述第1方向交叉且位于所述半导体衬底的面内的第2方向延伸。

7.根据权利要求2所述的半导体装置，其中

所述第1电阻部具有：

第1部分，与所述第1电极连接；

第2部分，与所述第1部分连接；及

第3部分，与所述第2部分连接；且

所述第2部分的配线宽度小于所述第1部分及所述第3部分的配线宽度，

所述第2电阻部具有：

第4部分，与所述第2电极连接；

第5部分，与所述第4部分连接；及

第6部分，与所述第5部分连接；且

所述第5部分的配线宽度小于所述第4部分及所述第6部分的配线宽度。

8.根据权利要求2所述的半导体装置，其中

所述多条第1配线及所述多条第2配线具有：层间配线部，沿着所述半导体衬底的厚度方向延伸；及层内配线部，沿着与所述半导体衬底的表面呈水平的方向延伸。