[发明专利]半导体封装件

说明书

本公开提供一种包括有机中介器的半导体封装件，所述包括有机中介器的半导体封装件包括：半导体芯片；连接构件，位于所述半导体芯片上并且包括焊盘层、重新分布层以及绝缘层；结合构件，位于所述半导体芯片和所述焊盘层之间；表面处理层，位于所述焊盘层上并且包括至少一个金属层；以及凸块下金属(UBM)层，嵌入在所述连接构件中。所述UBM层包括：UBM焊盘、位于所述UBM焊盘上的至少一个镀层以及UBM过孔。所述表面处理层仅设置在所述焊盘层的一个表面上，并且所述镀层仅设置在所述UBM焊盘的一个表面上，并且所述镀层的侧表面的至少一部分与所述绝缘层的围绕所述镀层的侧表面间隔开。

本申请要求于2018年8月22日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0097953号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。

技术领域

本公开涉及一种包括有机中介器的半导体封装件。

背景技术

随着高端设备和高带宽存储器(HBM)的采用，中介器市场正在增长。目前，硅已被用作中介器中的主要材料，但正在开发用于大规模和低成本制造的玻璃和有机方法。中介器到设备的主板的连接部分称为凸块下金属(UBM)层，并且连接部分的可靠性在很大程度上受这种UBM层的结构影响，因此存在优化这种UMB层的结构的需求。

具体地，已经对这种UBM层进行了各种表面处理以改善结合可靠性。这种表面处理主要使用无电镀覆。在这种情况下，表面处理层设置在焊盘的侧表面上以及焊盘的上表面上，因此，在UBM层结合到焊料之后会发生各种缺陷。

发明内容

本公开的一方面可提供一种包括有机中介器的半导体封装件，该包括有机中介器的半导体封装件能够简化工艺并防止在表面处理层和UBM层中的缺陷的发生。

由本公开提出的解决方案中的一个可通过电解镀覆在连接构件的上部和下部处的焊盘的仅一个表面上分别形成表面处理层和UBM层的镀层，并且可使用逆镀覆法形成UBM层的镀层。

根据本公开的一方面，一种包括有机中介器的半导体封装件可包括半导体芯片、连接构件、结合构件、表面处理层以及凸块下金属层，所述半导体芯片具有其上设置有连接焊盘的有效表面，所述连接构件设置在所述半导体芯片的所述有效表面上并且包括设置在所述连接构件的上表面上的焊盘层、电连接到所述连接焊盘的重新分布层以及绝缘层，所述结合构件设置在所述半导体芯片的所述连接焊盘和所述连接构件的所述焊盘层之间以将所述半导体芯片与所述连接构件连接，所述表面处理层设置在所述连接构件的所述焊盘层的上表面上并且包括至少一个金属层，所述凸块下金属(UBM)层嵌入在所述连接构件中并且电连接到所述连接构件的所述重新分布层。所述UBM层可包括：UBM焊盘，嵌入在所述连接构件的所述绝缘层中；至少一个镀层，设置在所述UBM焊盘上；以及UBM过孔，贯穿所述连接构件的所述绝缘层的至少一部分并且将所述连接构件的所述重新分布层与所述UBM焊盘电连接。所述表面处理层可仅设置在所述焊盘层的面对所述结合构件的一个表面上，并且所述UBM层的所述镀层可仅设置在所述UBM焊盘的与所述UBM过孔相对的一个表面上，并且所述UBM层的所述镀层的侧表面的至少一部分可与所述连接构件的所述绝缘层的围绕所述UBM层的所述镀层的侧表面间隔开。