[发明专利]半导体封装件

权利要求书

1.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：

半导体芯片，具有有效表面，所述有效表面上设置有连接焊盘；

连接构件，设置在所述半导体芯片的所述有效表面上，并且所述连接构件包括：焊盘层，设置在所述连接构件的上表面上；重新分布层，电连接到所述连接焊盘；以及绝缘层；

结合构件，设置在所述半导体芯片的所述连接焊盘和所述连接构件的所述焊盘层之间，以将所述半导体芯片与所述连接构件连接；

表面处理层，设置在所述连接构件的所述焊盘层的上表面上并且包括至少一个金属层；以及

凸块下金属层，嵌入在所述连接构件中并且电连接到所述连接构件的所述重新分布层，

其中，所述凸块下金属层包括：凸块下金属焊盘，嵌入在所述连接构件的所述绝缘层中；至少一个镀层，设置在所述凸块下金属焊盘上；以及凸块下金属过孔，贯穿所述连接构件的所述绝缘层的至少一部分并且将所述连接构件的所述重新分布层与所述凸块下金属焊盘电连接，并且

所述表面处理层仅设置在所述焊盘层的面对所述结合构件的一个表面上，并且所述凸块下金属层的所述镀层仅设置在所述凸块下金属焊盘的与所述凸块下金属过孔相对的一个表面上。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述凸块下金属层的所述镀层的侧表面的至少一部分与所述连接构件的所述绝缘层的围绕所述凸块下金属层的所述镀层的侧表面间隔开。

3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述表面处理层和所述凸块下金属层的所述镀层包括相同的电解金属层。

4.根据权利要求3所述的半导体封装件，其中，所述表面处理层包括包含金的第一镀层以及设置在所述焊盘层和所述第一镀层之间并且包含镍的第二镀层，并且

所述凸块下金属层的所述镀层包括包含金的第三镀层以及设置在所述凸块下金属焊盘和所述第一镀层之间并包含镍的第四镀层。

5.根据权利要求1所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括：

电连接结构，设置在所述凸块下金属层的所述镀层上。

6.根据权利要求5所述的半导体封装件，其中，所述电连接结构在所述凸块下金属层的所述镀层的侧表面的至少一部分与所述连接构件的所述绝缘层之间延伸。

7.根据权利要求5所述的半导体封装件，其中，在所述凸块下金属层的所述镀层的侧表面的至少一部分与所述连接构件的所述绝缘层之间存在气隙。

8.根据权利要求5所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括：

树脂层，围绕所述半导体芯片和所述连接构件之间的所述结合构件，

其中，所述焊盘层的侧表面与所述树脂层接触，并且所述凸块下金属层的所述镀层的侧表面的至少一部分与所述电连接结构接触。

9.根据权利要求5所述的半导体封装件，其中，所述电连接结构的直径大于所述结合构件的直径。

10.根据权利要求1所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括：

树脂层，围绕所述半导体芯片和所述连接构件之间的所述结合构件，

其中，所述焊盘层的侧表面与所述结合构件或所述树脂层接触，并且所述凸块下金属层的所述镀层的侧表面的至少一部分暴露于外部。

11.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述表面处理层的直径小于所述凸块下金属层的所述镀层的直径。

12.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述半导体芯片包括处理器芯片和存储器芯片，并且

所述处理器芯片和所述存储器芯片通过所述连接构件电连接。

13.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述连接构件的所述绝缘层利用有机材料制成。