[发明专利]树脂封装型半导体装置

说明书

本发明涉及的树脂封装型半导体装置1，包括：半导体芯片10；引线20A、30A，具有包含经由焊锡70、74与电极12、66相接合的焊锡接合电极连接片22、32的多个电极连接片22、24、32、34，并且与半导体芯片10电连接；以及树脂50，用于封装半导体芯片10以及引线20A、30A，其中，在引线20A、30A的焊锡接合电极连接片22、32与电极连接片24、34之间，形成有沟槽24、34。本发明的树脂封装型半导体装置1能够抑制电极附近产生的应力(特别是热应力)集中于焊锡70、74和其周围，从而能够抑制焊锡70、74产生裂痕导致破坏焊锡接合，因此，是一种能够抑制可靠性降低的树脂封装型半导体装置。

技术领域

本发明涉及一种树脂封装型半导体装置。

背景技术

以往，已知一种树脂封装型半导体装置，其包括：半导体芯片；用于与半导体芯片电连接的引线；以及用于封装半导体芯片和引线的树脂(例如，参照专利文献1)。

树脂封装型半导体装置901如图5所示，包括：半导体芯片910A、910B；具有经由焊锡970分别与半导体芯片910A、910B电连接的电极连接片922A、922B的引线920；树脂(图5中未图示)；以及兼做散热构件的基板960。

在以往的树脂封装型半导体装置901中，由于电极连接片922A、922B与半导体芯片910A、910B的电极之间仅经由焊锡970(即不经由导线等中间构件)直接连接。因此树脂封装型半导体装置901是一种适合用于电流容量较大且使用大电流的电子设备(例如电源)的树脂封装型半导体装置。

在后述中，将经由焊锡与电极接合的电极连接片称为“焊锡接合电极连接片”。

先行技术文献

【专利文献1】特开2006-202885号公报

然而，在上述以往的树脂封装型半导体装置901中，由于在运作中半导体芯片所产生出的热量会通过该半导体芯片的电极传播至焊锡接合电极连接片，从而导致因该热量产生的热应力集中于焊锡周围，这样一来，焊锡就可能产生裂痕从而破坏焊锡接合。因此，在上述以往的树脂封装型半导体装置901中，存在可靠性变低的问题。

另外，由于上述半导体芯片所产生出的热量还会通过与半导体芯片接合的基板传播至半导体芯片以外的构成要素的电极(例如基板的电极)，因此也可能造成热量传播到的部位也同样产生上述问题。

再有，当电极附近被施加了除热应力以外的应力(例如因压迫引起的外力)时，也同样会产生出上述问题。

因此，鉴于上述课题，本发明的目的是提供一种树脂封装型半导体装置，其能够抑制因电极连接片与电极经由焊锡直接连接而导致的可靠性下降。

发明内容

【1】本发明涉及的树脂封装型半导体装置，其特征在于，包括：半导体芯片；引线，具有包含经由焊锡与电极相接合的焊锡接合电极连接片的多个电极连接片，并且与所述半导体芯片电连接；以及树脂，用于封装所述半导体芯片以及所述引线，其中，在所述引线的所述多个电极连接片中的一个电极连接片与不同于所述一个电极连接片的另一个电极连接片之间，形成有沟槽以及切口中的至少一方，所述一个电极连接片与所述另一个电极连接片中的至少一方为所述焊锡接合电极连接片。

【2】在本发明涉及的树脂封装型半导体装置中，所述焊锡接合电极连接片经由焊锡与所述半导体芯片的电极相接合。

【3】在本发明涉及的树脂封装型半导体装置中，所述沟槽被形成在所述引线的呈三维弯曲的部位上。

【4】在本发明涉及的树脂封装型半导体装置中，在以平面观看时，所述一个电极连接片与所述另一个电极连接片直线连接，所述沟槽的长度方向与从所述一个电极连接片向所述另一个电极连接片的方向相垂直。

【5】在本发明涉及的树脂封装型半导体装置中，所述引线上具有被形成多个沟槽相互平行的应力吸收区域。