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[发明专利]树脂封装型半导体装置-CN201880086505.0有效
发明人： 中川政雄;桑野亮司;篠竹洋平 -专利权人：新电元工业株式会社
申请日： 2018-03-02 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明涉及的树脂封装型半导体装置1，包括：半导体芯片10；引线20A、30A，具有包含经由焊锡70、74与电极12、66相接合的焊锡接合电极连接片22、32的多个电极连接片22、24、32、34，并且与半导体芯片10电连接；以及树脂50，用于封装半导体芯片10以及引线20A、30A，其中，在引线20A、30A的焊锡接合电极连接片22、32与电极连接片24、34之间，形成有沟槽24、34。本发明的树脂封装型半导体装置1能够抑制电极附近产生的应力(特别是热应力)集中于焊锡70、74和其周围，从而能够抑制焊锡70、74产生裂痕导致破坏焊锡接合，因此，是一种能够抑制可靠性降低的树脂封装型半导体装置。
树脂封装半导体装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201880087106.6有效
发明人： 中川政雄;桑野亮司;篠竹洋平 -专利权人：新电元工业株式会社
申请日： 2018-03-02 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明的半导体装置1包括：基板10，其具有半导体芯片配置面12；半导体芯片20，其被配置于半导体芯片配置面12上，且具有形成于与半导体芯片配置面12相向的面是相反侧的面上的主电极24及形成于与主电极24分离的位置上的控制电极26；以及引线30，其具有至少一部分是经由焊锡40而与主电极24相接合的电极连接片32，其中，从平面上看，电极连接片32具有向半导体芯片20侧突出的凸部38，凸部38位于电极连接片32上的与焊锡40接合的接合面37上的栅电极26侧的边缘部37与栅电极26之间、或位于电极连接片32上的与焊锡40接合的接合面36上的栅电极26侧的边缘部37相接的位置上。根据本发明的半导体装置1，能够提供可靠性不易下降的半导体装置。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201880086522.4有效
发明人： 中川政雄;桑野亮司;篠竹洋平;西村英树 -专利权人：新电元工业株式会社
申请日： 2018-02-26 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明的半导体装置的制造方法包括：组装体形成工序，在电极24与电极连接片32之间配置焊锡材料44，焊锡材料44具有被配置于电极24的表面且含有助焊剂的第一焊锡材料层41、被配置于电极连接片32的表面且含有助焊剂的第二焊锡材料层42、以及被配置于第一焊锡材料层41与第二焊锡材料层42之间的且不含有助焊剂的第三焊锡材料层43相叠层后的构造，并且，组装体形成工序形成配置有基板10、半导体芯片20以及引线30的组装体50，使得电极24与电极连接片32成为夹着焊锡材料44的相向状态；以及接合工序，将电极24与电极连接片32经由焊锡40进行接合。根据本发明的半导体装置的制造方法，能够制造可靠性不易下降的半导体装置，并且能够防止接合工序变得繁杂。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201880069941.7在审
发明人： 中川政雄;桑野亮司;篠竹洋平 -专利权人：新电元工业株式会社
申请日： 2018-03-01 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明涉及的半导体装置，包括：半导体芯(3)；以及引线(4)，包含：通过焊锡(6)与半导体芯片(3)电连接的电极连接部(41)、以及从平面看从电极连接部(41)向外侧突出的突出部(42)，其中，在引线(4)的突出部(42)上的位于半导体芯片(3)侧的面上，具有沿引线(4)的宽度方向(W)从一端横跨至另一端的焊料流出防止用沟槽形成区域(R2)。根据本发明，即便是在半导体芯片与引线之间形成的焊料厚度较厚时，也能够防止焊料流至在制造过程中不希望焊料触及的部位上。
半导体装置