[发明专利]树脂封装型半导体装置有效
| 申请号: | 201880086505.0 | 申请日: | 2018-03-02 |
| 公开(公告)号: | CN111602240B | 公开(公告)日: | 2023-08-01 |
| 发明(设计)人: | 中川政雄;桑野亮司;篠竹洋平 | 申请(专利权)人: | 新电元工业株式会社 |
| 主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48;H01L23/50;H01L25/07;H01L25/18 |
| 代理公司: | 上海德昭知识产权代理有限公司 31204 | 代理人: | 郁旦蓉 |
| 地址: | 日本东京都千*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 树脂 封装 半导体 装置 | ||
1.一种树脂封装型半导体装置,其特征在于,包括:
半导体芯片;
引线,具有包含经由焊锡与电极相接合的焊锡接合电极连接片的多个电极连接片,并且与所述半导体芯片电连接;以及
树脂,用于封装所述半导体芯片以及所述引线,
其中,在所述引线的所述多个电极连接片中的一个电极连接片与不同于所述一个电极连接片的另一个电极连接片之间,形成有沟槽,
所述一个电极连接片与所述另一个电极连接片中的至少一方为所述焊锡接合电极连接片,
所述引线具有呈三维弯曲的部分,
所述沟槽被形成在所述引线的所述呈三维弯曲的部位上,
所述引线上既形成有沟槽又形成有切口,
所述切口被形成在与所述引线的所述呈三维弯曲的部分不同的部分上。
2.根据权利要求1所述的树脂封装型半导体装置,其特征在于:
其中,所述焊锡接合电极连接片经由焊锡与所述半导体芯片的电极相接合。
3.根据权利要求1或2所述的树脂封装型半导体装置,其特征在于:
其中,在以平面观看时,所述一个电极连接片与所述另一个电极连接片直线连接,
所述沟槽的长度方向与从所述一个电极连接片向所述另一个电极连接片的方向相垂直。
4.根据权利要求1至3中任意一项所述的树脂封装型半导体装置,其特征在于:
其中,所述引线上具有被形成为多个沟槽相互平行的应力吸收区域。
5.根据权利要求4所述的树脂封装型半导体装置,其特征在于:
其中,在所述应力吸收区域处,所述沟槽形成在所述应力吸收区域的一个面以及位于所述一个面相反侧的另一个面上,
位于所述一个面一侧的所述沟槽与位于所述另一个面一侧的所述沟槽被交互着形成。
6.根据权利要求4或5所述的树脂封装型半导体装置,其特征在于:
其中,所述沟槽的间隙在0.1mm~1mm范围内。
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