[发明专利]具有封装级可配置性的半导体装置有效
申请号: | 201880047609.0 | 申请日: | 2018-09-07 |
公开(公告)号: | CN110914984B | 公开(公告)日: | 2021-12-14 |
发明(设计)人: | J·E·戴维斯;J·B·普西;尹治平;K·G·杜斯曼 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L27/11524 | 分类号: | H01L27/11524;H01L27/11529;H01L27/1157;H01L27/11573;H01L23/64;H01L23/60;H01L23/488;H01L27/02;H01L25/065;H01L21/60 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 封装 配置 半导体 装置 | ||
本发明提供一种半导体装置组合件,其包含衬底及耦合到所述衬底的裸片。所述裸片包含:第一接触垫,其电耦合到所述裸片上的第一电路,所述第一电路包含至少一个有源电路元件;及第二接触垫,其电耦合到所述裸片上的第二电路,所述第二电路仅包含无源电路元件。所述衬底包含电耦合到所述第一接触垫及所述第二接触垫两者的衬底接触件。所述半导体装置组合件可进一步包含第二裸片,所述第二裸片包含:第三接触垫,其电耦合到所述第二裸片上的第三电路,所述第三电路包含至少第二有源电路元件;及第四接触垫,其电耦合到所述第二裸片上的第四电路,所述第四电路仅包含无源电路元件。所述衬底接触件可电耦合到所述第三接触垫且与所述第四接触垫电切断。
本申请案含有与詹姆斯E.戴维斯(James E.Davis)、凯文G.杜斯曼(KevinG.Duesman)、杰弗里P.莱特(Jeffrey P.Wright)及沃伦L.波伊尔(Warren L.Boyer)的标题为“具有后探针可配置性的半导体装置(SEMICONDUCTOR DEVICES WITH POST-PROBECONFIGURABILITY)”的共同申请的美国专利申请案相关的标的物。所述相关申请案(其揭示内容以引用方式并入本文中)被转让给美光科技公司(Micron Technology,Inc.),且由代理人档案号010829-9271.US00识别。
技术领域
本发明大体上涉及半导体装置,且更特定来说,涉及具有封装级可配置性的半导体装置。
背景技术
封装半导体裸片(包含存储器芯片、微处理器芯片及成像器芯片)通常包含安装在衬底上且围封在塑料保护罩中或被导热盖覆盖的一或多个半导体裸片。裸片可包含有源电路(例如,提供例如存储器单元、处理器电路及/或成像器装置的功能特征)及/或无源特征(例如,电容器、电阻器等)以及电连接到所述电路的接合垫。接合垫可电连接到保护罩外部的端子以允许将裸片连接到较高级电路。
例如,图1是半导体装置组合件100的简化部分横截面视图,其包含以叠瓦式方式堆叠在衬底101上且被囊封剂170覆盖的多个半导体裸片102及103。每一裸片包含一或多个接触垫(例如接触垫122及123)以提供到对应集成电路(例如电路162及163)的连接性。接触垫122及123可通过接线131及132(以菊炼配置展示)连接到衬底接触件121,以经由焊料球151(通过通路152)提供到电路162及163的连接性。
运用一些半导体裸片,可将各种接合垫连接到裸片中的多个电路。例如,在NAND存储器裸片中,单个接合垫可经连接到有源驱动器电路及无源ESD保护电路(例如,包含一或多个电容器)两者。ESD保护电路可经设计以提供所要电容量而保护单个有源驱动器电路。在包含具有有源驱动器电路的并联连接的多个此类NAND存储器裸片(例如,具有来自连接到相同外部端子的每一NAND存储器裸片的对应接合垫)的半导体装置组合件中,由来自并联连接的每一裸片的ESD保护电路提供的过量电容可使装置性能降级。这可通过对于不同封装密度设计不同NAND存储器裸片(例如,经配置以单独封装的NAND存储器裸片、经配置以呈两个一组的堆叠封装的具有较小电容ESD保护电路的不同NAND存储器裸片及经配置以呈四个一组的堆叠封装的具有甚至更小电容ESD保护电路的又一NAND存储器裸片等)而解决,但对于每一可能封装配置设计及制作多个不同半导体裸片极其昂贵。因此,需要一种可取决于封装裸片的配置而配置有不同量的ESD保护的半导体裸片。
附图说明
图1是包含堆叠在衬底上的多个半导体裸片的半导体装置组合件的简化部分横截面视图。
图2是半导体装置组合件的简化示意图。
图3是根据本技术的实施例的半导体装置的简化示意图。
图4到6是根据本技术的实施例的半导体装置组合件的简化示意图。
图7是根据本技术的实施例的半导体装置的简化示意图。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美光科技公司,未经美光科技公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201880047609.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种PARP-1抑制剂的晶型及其制备方法
- 下一篇:阀组件
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的