[发明专利]具有封装级可配置性的半导体装置有效
申请号: | 201880047609.0 | 申请日: | 2018-09-07 |
公开(公告)号: | CN110914984B | 公开(公告)日: | 2021-12-14 |
发明(设计)人: | J·E·戴维斯;J·B·普西;尹治平;K·G·杜斯曼 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L27/11524 | 分类号: | H01L27/11524;H01L27/11529;H01L27/1157;H01L27/11573;H01L23/64;H01L23/60;H01L23/488;H01L27/02;H01L25/065;H01L21/60 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 封装 配置 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置组合件,其包括:
衬底;
裸片,其经耦合到所述衬底,所述裸片包含:
第一接触垫,其电耦合到所述裸片上的第一电路,所述第一电路包含至少一个有源电路元件,及
第二接触垫,其电耦合到所述裸片上的第二电路,所述第二电路仅包含无源电路元件;
其中所述衬底包含通过单个接线及单个焊料球电耦合到所述裸片上的所述第一接触垫及所述第二接触垫两者的衬底接触件,所述焊料球与所述接线、所述第一接触垫及所述第二接触垫中的每一者既直接物理接触又电接触。
2.根据权利要求1所述的半导体装置组合件,其中所述裸片是第一裸片,所述半导体装置组合件进一步包括:
第二裸片,其包含:
第三接触垫,其电耦合到所述第二裸片上的第三电路,所述第三电路包含至少第二有源电路元件,及
第四接触垫,其电耦合到所述第二裸片上的第四电路,所述第四电路仅包含无源电路元件;
其中所述衬底接触件电耦合到所述第二裸片上的所述第三接触垫,且
其中所述第二裸片上的所述第四接触垫与所述衬底接触件电切断。
3.根据权利要求2所述的半导体装置组合件,其中所述第一裸片及所述第二裸片是相同裸片,其中所述第一裸片上的所述第一接触垫对应于所述第二裸片上的所述第三接触垫,且所述第一裸片上的所述第二接触垫对应于所述第二裸片上的所述第四接触垫。
4.根据权利要求2所述的半导体装置组合件,其中所述第一裸片及所述第二裸片是以叠瓦式配置堆叠。
5.根据权利要求2所述的半导体装置组合件,其中所述衬底接触件通过所述第一接触垫与所述第三接触垫之间的接线电耦合到所述第三接触垫。
6.根据权利要求1所述的半导体装置组合件,其中所述第一电路是驱动器电路。
7.根据权利要求1所述的半导体装置组合件,其中所述第二电路包含用于提供静电放电ESD保护的一或多个电容器。
8.根据权利要求1所述的半导体装置组合件,其中所述裸片是NAND存储器裸片。
9.一种制造半导体装置组合件的方法,其包括:
提供包含衬底接触件的衬底;
将一或多个半导体裸片耦合到所述衬底,其中所述一或多个半导体裸片中的每一者包含:
第一接触垫,其电耦合到所述半导体裸片上的第一电路,所述第一电路包含至少一个有源电路元件,及
第二接触垫,其电耦合到所述半导体裸片上的第二电路,所述第二电路仅包含无源电路元件;
通过单个接线及单个焊料球将所述衬底接触件电耦合到所述一或多个半导体裸片中的第一者的所述第一接触垫及所述第二接触垫两者,所述焊料球与所述接线、所述一或多个半导体裸片中的所述第一者的所述第一接触垫及所述一或多个半导体裸片中的所述第一者的所述第二接触垫既直接物理接触又电接触。
10.根据权利要求9所述的方法,其中所述多个半导体裸片是相同半导体裸片。
11.根据权利要求9所述的方法,其中所述一或多个半导体裸片中的每一者的所述第一电路是驱动器电路。
12.根据权利要求9所述的方法,其中所述一或多个半导体裸片中的每一者的所述第二电路包含用于提供静电放电ESD保护的一或多个电容器。
13.根据权利要求9所述的方法,其中所述一或多个半导体裸片包括至少一个NAND存储器裸片。
14.根据权利要求9所述的方法,其中所述一或多个半导体裸片包括以叠瓦式配置堆叠的多个半导体裸片。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的