[发明专利]陶瓷封装外壳制备方法及陶瓷封装外壳

权利要求书

1.陶瓷封装外壳制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

成型，制备简单形状的片状陶瓷生坯；

排胶、烧结，得到陶瓷熟瓷基板；

磨抛、切割，根据预定设计，加工出外壳需要的陶瓷底板、陶瓷墙体及内部基板对应形状的陶瓷基板；

金属化，对各所述陶瓷基板表面进行金属化处理；

镀覆，对各所述陶瓷基板表面镀覆焊接需要的金属层；

焊接，根据设定的外壳的形状，将各部分陶瓷基板焊接到一起，形成陶瓷外壳；

加工修正、镀覆，对焊接后的陶瓷外壳进行加工修正和镀覆，形成产品。

2.如权利要求1所述的陶瓷封装外壳制备方法，其特征在于，所述成型中：

采用干压成型、流延成型、注塑成型、凝胶注模成型中的一种制备出简单形状的片状陶瓷生坯。

3.如权利要求1所述的陶瓷封装外壳制备方法，其特征在于，所述排胶、烧结中：

氮化铝烧结温度为1750℃-1850℃，氧化铍烧结温度1600℃-1750℃。

4.如权利要求1所述的陶瓷封装外壳制备方法，其特征在于，所述金属化中：

采用厚膜金属化、薄膜金属化、直接键合、活性焊接工艺中的一种或几种在陶瓷基板制备金属化。

5.如权利要求4所述的陶瓷封装外壳制备方法，其特征在于，所述厚膜金属化：

是在陶瓷表面通过丝网印刷的方式印刷10-30μm厚的钨、银、金中的一种或多种浆料，在标准工艺曲线下烧结。

6.如权利要求4所述的陶瓷封装外壳制备方法，其特征在于，所述薄膜金属化：

是采用溅射、蒸发工艺中的一种，在陶瓷基板表面制备0.1-3μm的钛、钨化钛、镍、铜、铂、铅、金中的一种或多种金属。

7.如权利要求4所述的陶瓷封装外壳制备方法，其特征在于，所述直接键合工艺：

是在1000-1070℃的条件下，在陶瓷基板表面直接覆接无氧铜。

8.如权利要求4所述的陶瓷封装外壳制备方法，其特征在于，所述活性焊接工艺：

是采用活性金属焊膏在陶瓷基板表面焊接铜、铝、不锈钢、可伐中的一种或多种金属。

9.如权利要求1所述的陶瓷封装外壳制备方法，其特征在于，所述焊接需要的钎料为银基、铜基、锡基、铅基、铝基中的任一种，根据不同的钎料，选择不同温度，将各部分陶瓷基板焊接到一起。

10.陶瓷封装外壳，其特征在于，采用如权利要求1-9任一项所述的方法制备，包括陶瓷底板和陶瓷墙体，所述陶瓷墙体和陶瓷底板焊接相连。