[发明专利]存储装置、半导体器件及其制造方法

说明书

本公开提供一种存储装置、半导体器件及半导体器件的制造方法，该制造方法包括：提供第一芯片和多个第二芯片，第一芯片具有第一焊盘，每个第二芯片具有第二焊盘，各第二焊盘均设有穿孔；将各第二芯片堆叠设置于第一芯片，各第二焊盘与第一焊盘正对设置；任意相邻的两第二芯片中，靠近第一芯片的穿孔不大于远离第一芯片的穿孔；形成穿过各穿孔的连接孔，连接孔露出第一焊盘，且连接孔包括多个孔段，各孔段一一对应的位于各第二芯片内，孔段与其所在的第二芯片的第二焊盘的穿孔的大小相同；在连接孔内形成导电体，第一焊盘和各第二焊盘均与导电体连接。本公开的制造方法可简化工艺，降低成本。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种存储装置、半导体器件及半导体器件的制造方法。

背景技术

随着半导体技术的发展，芯片堆叠技术已经广泛的应用于各类存储器，例如DRAM(Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器)等。目前，对于堆叠设置的多个芯片而言，需要通过TSV(Through Silicon Vias，硅穿孔)以最短的路径将各个芯片连接，具体而言，在现有技术中，通常需要先在各个芯片上形成硅通道，并在硅通道内形成导电件，再将各个芯片堆叠设置，使各个硅通道内的导电件连接，从而将各个芯片连接起来。

但是，对每个芯片都进行TSV工艺，会使得整个制造过程耗时较长，工序较多，且成本较高。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开的目的在于提供一种存储装置、半导体器件及半导体器件的制造方法，可简化工艺，降低成本。

根据本公开的一个方面，提供一种半导体器件的制造方法，包括：

提供第一芯片和多个第二芯片，所述第一芯片具有第一焊盘，每个所述第二芯片均具有第二焊盘，各所述第二焊盘均设有穿孔；

将各所述第二芯片堆叠设置于所述第一芯片，且各所述第二焊盘与所述第一焊盘正对设置；任意相邻的两所述第二芯片中，靠近所述第一芯片的穿孔不大于远离所述第一芯片的穿孔；

形成穿过正对于所述第一焊盘的各所述穿孔的连接孔，所述连接孔露出所述第一焊盘，且所述连接孔包括多个孔段，各所述孔段一一对应的位于各所述第二芯片内，所述孔段与其所在的第二芯片的第二焊盘的穿孔的大小相同；

在所述连接孔内形成导电体，所述第一焊盘和各所述第二焊盘均与所述导电体连接。

在本公开的一种示例性实施例中，所述连接孔通过一次开孔工艺形成。

在本公开的一种示例性实施例中，形成穿过各所述第二焊盘的连接孔包括：

在距离所述第一芯片最远的一所述第二芯片上覆盖光刻胶层；

对所述光刻胶层进行曝光并显影，露出所述光刻胶层覆盖的第二芯片的第二焊盘的穿孔；

在所述光刻胶层露出的穿孔内向所述第一焊盘刻蚀，直至露出所述第一焊盘；

剥离所述光刻胶层。

在本公开的一种示例性实施例中，分属不同第二焊盘的所述穿孔的大小不同，在所述连接孔内形成导电体包括：

在所述连接孔内壁形成隔离层，所述隔离层露出所述第一焊盘和所述第二焊盘远离所述第一芯片的表面；

在所述隔离层内形成所述导电体，所述导电体与各所述第二焊盘未被所述隔离层覆盖的区域连接。

在本公开的一种示例性实施例中，在所述连接孔内壁形成隔离层包括：