[发明专利]存储装置、半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供第一芯片和多个第二芯片，所述第一芯片具有第一焊盘，每个所述第二芯片均具有第二焊盘，各所述第二焊盘均设有穿孔；

将各所述第二芯片堆叠设置于所述第一芯片，且各所述第二焊盘与所述第一焊盘正对设置；任意相邻的两所述第二芯片中，靠近所述第一芯片的穿孔不大于远离所述第一芯片的穿孔；

形成穿过正对于所述第一焊盘的各所述穿孔的连接孔，所述连接孔露出所述第一焊盘，且所述连接孔包括多个孔段，各所述孔段一一对应的位于各所述第二芯片内，所述孔段与其所在的第二芯片的第二焊盘的穿孔的大小相同；

在所述连接孔内形成导电体，所述第一焊盘和各所述第二焊盘均与所述导电体连接。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述连接孔通过一次开孔工艺形成。

3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，形成穿过各所述第二焊盘的连接孔包括：

在距离所述第一芯片最远的一所述第二芯片上覆盖光刻胶层；

对所述光刻胶层进行曝光并显影，露出所述光刻胶层覆盖的第二芯片的第二焊盘的穿孔；

在所述光刻胶层露出的穿孔内向所述第一焊盘刻蚀，直至露出所述第一焊盘；

剥离所述光刻胶层。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，分属不同第二焊盘的所述穿孔的大小不同，在所述连接孔内形成导电体包括：

在所述连接孔内壁形成隔离层，所述隔离层露出所述第一焊盘和所述第二焊盘远离所述第一芯片的表面；

在所述隔离层内形成所述导电体，所述导电体与各所述第二焊盘未被所述隔离层覆盖的区域连接。

5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，在所述连接孔内壁形成隔离层包括：

在所述连接孔内形成隔离材料层，所述隔离材料层覆盖所述第一焊盘和所述第二焊盘位于连接孔内的区域；

去除所述第一焊盘上的隔离材料层，以及所述第二焊盘远离所述第一芯片的表面上的隔离材料层。

6.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，在所述隔离层内形成所述导电体包括：

在距离所述第一芯片最远的第二芯片上覆盖导电层，所述导电层填充所述连接孔；

去除所述导电层位于所述连接孔以外的区域。

7.根据权利要求1-6任一项所述的制造方法，其特征在于，正对于所述第一焊盘的各所述穿孔的中心与所述第一焊盘的中心共线设置。

8.根据权利要求1-6任一项所述的制造方法，其特征在于，所述第一焊盘和所述第二焊盘的材料为金属。

9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述第一焊盘的材料为铜、铝和钨中任一种，所述第二焊盘的材料为铜、铝和钨中任一种。

10.根据权利要求1-6任一项所述的制造方法，其特征在于，所述第一芯片包括：

第一衬底；

第一绝缘层，设于所述第一衬底，所述第一焊盘嵌设于所述第一绝缘层远离所述第一衬底的表面；

所述第二芯片包括：

第二衬底；

第二绝缘层，设于所述第二衬底远离所述第一芯片的一侧，所述第二焊盘嵌设于所述第二绝缘层远离所述第二衬底的表面；

距离所述第一芯片最近的第二芯片的第二衬底设于所述第一绝缘层远离所述第一衬底的表面，各所述第二芯片的第二衬底和第二绝缘层交替层叠设置。