[发明专利]带有腔室的多芯片封装结构及其制作方法在审
申请号: | 201810911145.5 | 申请日: | 2018-08-10 |
公开(公告)号: | CN109087912A | 公开(公告)日: | 2018-12-25 |
发明(设计)人: | 付伟 | 申请(专利权)人: | 付伟 |
主分类号: | H01L25/18 | 分类号: | H01L25/18;H01L23/538;H01L21/52 |
代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 沈晓敏 |
地址: | 215123 江苏省苏州市工业园*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装基板 滤波器芯片 下表面 腔室 多芯片封装结构 基板上表面 第二电极 第一电极 封装结构 功能芯片 外部引脚 面对面设置 高度集成 互连结构 相对设置 芯片封装 多芯片 上表面 导通 空腔 围设 围堰 制作 封装 室内 配合 | ||
本发明揭示了一种带有腔室的多芯片封装结构及其制作方法,封装结构包括:封装基板,封装基板的一侧具有若干外部引脚,且封装基板具有腔室;功能芯片,设置于腔室内,功能芯片具有若干第一电极;滤波器芯片,设置于封装基板的上方,滤波器芯片具有相对设置的第二上表面及第二下表面,第二下表面与基板上表面面对面设置,且滤波器芯片具有若干第二电极;围堰,与第二下表面及基板上表面配合而围设形成空腔;若干互连结构,用于导通若干第一电极、若干第二电极及若干外部引脚。本发明利用封装技术将两个不同的芯片封装于同一封装基板,可以实现多芯片的高度集成,提高封装基板的利用率,进而实现封装结构的小型化。
技术领域
本发明涉及半导体封装领域,尤其涉及一种带有腔室的多芯片封装结构及其制作方法。
背景技术
为迎合电子产品日益轻薄短小的发展趋势,滤波器与射频发射组件/接收组件需要被高度集成在有限面积的封装结构中,形成系统级封装(SystemInPackage,SIP)结构,以减小硬件系统的尺寸。
对于系统级封装结构中的滤波器与射频前端模块封装整合技术,业内仍存在相当多的技术问题亟需解决,例如,滤波器的保护结构、多个芯片之间的连接结构、多个芯片的布局等等。
发明内容
本发明的目的在于提供一种带有腔室的多芯片封装结构及其制作方法。
为实现上述发明目的之一,本发明一实施方式提供一种带有腔室的多芯片封装结构,包括:
封装基板,具有相对设置的基板上表面及基板下表面,所述封装基板的一侧具有若干外部引脚,且所述封装基板具有腔室;
功能芯片,设置于所述腔室内,所述功能芯片具有相对设置的第一上表面及第一下表面,且所述功能芯片具有若干第一电极;
滤波器芯片,设置于所述封装基板的上方,所述滤波器芯片具有相对设置的第二上表面及第二下表面,所述第二下表面与所述基板上表面面对面设置,且所述滤波器芯片具有若干第二电极;
围堰,与所述第二下表面及所述基板上表面配合而围设形成空腔;
若干互连结构,用于导通若干第一电极、若干第二电极及若干外部引脚。
作为本发明一实施方式的进一步改进,所述基板下表面的一侧具有若干外部引脚,所述封装基板具有若干通孔,所述第二电极位于所述第二下表面,所述互连结构通过所述通孔而导通所述第二电极、所述第一电极及所述外部引脚。
作为本发明一实施方式的进一步改进,所述第一电极位于所述第一下表面,所述互连结构包括金属层,所述金属层充填所述通孔内部区域并往所述基板下表面方向延伸而导通所述第一电极。
作为本发明一实施方式的进一步改进,所述多芯片封装结构还包括设置于所述基板下表面及所述金属层之间的第一绝缘层、包覆所述第一绝缘层及所述金属层的第二绝缘层、经过所述第二绝缘层上的孔洞导通所述金属层并往所述第二绝缘层的下表面方向延伸的下重布线层以及包覆所述第二绝缘层及所述下重布线层的第三绝缘层,所述外部引脚连接所述下重布线层,且所述第三绝缘层暴露所述外部引脚。
作为本发明一实施方式的进一步改进,所述围堰包括位于所述通孔内侧的第一围堰及位于所述通孔外侧的第二围堰。
作为本发明一实施方式的进一步改进,若干通孔围设形成的内轮廓连接所述第一围堰,若干通孔围设形成的外轮廓连接所述第二围堰,所述第一围堰与所述第二围堰相互连通。
作为本发明一实施方式的进一步改进,所述第二围堰朝远离所述第一围堰的方向延伸直至所述第二围堰的外侧缘与所述封装基板的外侧缘齐平。
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