[发明专利]具覆盖层间边界线的沉积层的半导体制造用部件

说明书

本发明涉及在干式蚀刻工序中，利用晶片等的基板来制造半导体组件的半导体制造用部件及其制造方法，本发明的包括覆盖层间边界的蒸镀层的半导体制造用部件包括：母材，包含碳；第一蒸镀层，形成于上述母材：第二蒸镀层，形成于上述第一蒸镀层；以及第三蒸镀层，以覆盖上述第一蒸镀层和上述第二蒸镀层之间的边界线的至少一部分的方式形成于上述第二蒸镀层。

技术领域

本发明涉及在干式蚀刻工序中，利用晶片(Wafer)等的基板来制造半导体元件的半导体制造用部件及其制造方法，更详细地，涉及包括多个层并形成覆盖层间边界的蒸镀层的半导体制造用部件及其制造方法。

背景技术

通常，作为在半导体制造工序中使用的等离子处理工法、干式蚀刻工序中的一种，使用气体来对目标进行蚀刻的方法。向反应容器内注入蚀刻气体并进行离子化之后，向晶片表面加速，来以物理、化学去除晶片表面的工序。上述方法中，蚀刻的调节简单，生产性高，可形成数十nm水平的微细图案，从而广泛使用。

为作为了在等离子蚀刻中的均匀的蚀刻而需要考虑的参数(parameter)，需要蚀刻的层的厚度和密度、蚀刻气体的能量及温度、光刻胶的粘结性和晶片表面的状态及蚀刻气体的均匀性等。尤其，使蚀刻气体离子化，使离子化的蚀刻气体在晶片表面加速来执行蚀刻的原动力的高频(RF，Radio frequency)的调节可成为重要参数，并且，在实际蚀刻过程中，需要考虑直接切简单进行调节的参数。

但是，实际上，干式蚀刻装置内，以进行蚀刻的晶片为基准，需要适用具有对于晶片表面整体的均匀能量分布的均匀高频的适用，当适用这种高频时的均匀能量分布的适用无法仅通过高频的输出调节实现，为了解决这个问题，通过作为用于向晶片施加高频的高频电极的阶段和阳极氧化聚焦环的形状的半导体制造用部件来实现。

包括干式蚀刻装置内的聚焦环在内的多种半导体制造用部件使等离子聚集在在等离子存在的艰难条件的反应容器内进行蚀刻处理的晶片周边，部件自身也露在等离子，从而被损伤。因此，持续进行用于增加半导体制造用部件的等离子特性的研究。

为了提高半导体制造用部件的等离子特性，通过包括化学气相蒸镀发在内的多种方法，用具有等离子特性的物质蒸镀半导体制造用部件的过程中，若一次性形成厚的蒸镀层，则有可能发生多种问题。

注入大量的原料气体，在高温的蒸镀物质继续层迭的过程中，不纯物或通过同源反应形成的核等发生异常组织生长的非正常结晶结构。最初，少量发生的异常组织的非正常结晶结构在执行继续蒸镀的期间持续生长，在半导体制造用部件的整体或一部分中，会导致产品的材料特性。

发明内容

技术问题

本发明的目的在于解决上述问题，本发明的目的在于，提供以能够防止异常组织的非正常结晶结构在执行继续蒸镀的期间持续生长的方式形成多个层来迅速形成蒸镀，以覆盖上述多个层间的边界的方式在上方再次蒸镀形成等离子特性强的层，由此，等离子特性强且抑制异常组织的非正常结晶的扩大，生产工序的有效率提高的包括覆盖层间边界的蒸镀层的半导体制造用部件及其制造方法。

但是，本发明所要解决的问题并不局限于上述提及的问题，本发明所属技术领域的普通技术人员可从以下的记载明确理解未提及的其他问题。

技术方案

本发明的包括覆盖层间边界的蒸镀层的半导体制造用部件包括：第一蒸镀层；第二蒸镀层，形成于上述第一蒸镀层上；以及第三蒸镀层，以覆盖上述第一蒸镀层与上述第二蒸镀层之间的边界线的至少一部分的方式形成于上述第二蒸镀层上。

根据本发明的一实施例，上述第一蒸镀层、第二蒸镀层或它们由多个层形成，上述第三蒸镀层覆盖上述第一蒸镀层、第二蒸镀层或它们的多个层之间的边界线的至少一部分。

根据本发明的一实施例，上述第一蒸镀层及第二蒸镀层各个的结晶粒子大小大于上述第三蒸镀层的结晶粒子大小。