[发明专利]具覆盖层间边界线的沉积层的半导体制造用部件

权利要求书

1.一种包括覆盖层间边界的蒸镀层的半导体制造用部件，其中，包括：

第一蒸镀层；

第二蒸镀层，形成于所述第一蒸镀层上；以及

第三蒸镀层，以覆盖所述第一蒸镀层与所述第二蒸镀层之间的边界线的至少一部分的方式形成于所述第二蒸镀层上，

所述第一蒸镀层、所述第二蒸镀层及第三蒸镀层各自包含SiC。

2.如权利要求1所述的包括覆盖层间边界的蒸镀层的半导体制造用部件，其特征在于，所述第一蒸镀层、第二蒸镀层或它们由多个层形成，所述第三蒸镀层覆盖所述第一蒸镀层、第二蒸镀层或它们的多个层之间的边界线的至少一部分。

3.如权利要求1所述的包括覆盖层间边界的蒸镀层的半导体制造用部件，其特征在于，所述第一蒸镀层及第二蒸镀层各个的结晶粒子大小大于所述第三蒸镀层的结晶粒子大小。

4.如权利要求1所述的包括覆盖层间边界的蒸镀层的半导体制造用部件，其特征在于，所述第一蒸镀层及第二蒸镀层各个的X射线衍射光谱的面(111)的衍射峰值强度与面(200)及面(220)的衍射峰值强度之和之间的比值为0.9至3.5。

5.如权利要求1所述的包括覆盖层间边界的蒸镀层的半导体制造用部件，其特征在于，所述第三蒸镀层的X射线衍射光谱的面(111)的衍射峰值强度与面(200)及面(220)的衍射峰值强度之和之间的比值为0.05至0.9。

6.如权利要求1所述的包括覆盖层间边界的蒸镀层的半导体制造用部件，其特征在于，所述第三蒸镀层的X射线衍射光谱的面(111)的衍射峰值强度与面(311)的衍射峰值强度之间的比值为0.05至0.3。

7.如权利要求1所述的包括覆盖层间边界的蒸镀层的半导体制造用部件，其特征在于，所述第一蒸镀层、所述第二蒸镀层及第三蒸镀层的组成相同。

8.如权利要求1所述的包括覆盖层间边界的蒸镀层的半导体制造用部件，其特征在于，所述第三蒸镀层的厚度为0.7mm至2.5mm。

9.如权利要求1所述的包括覆盖层间边界的蒸镀层的半导体制造用部件，其特征在于，所述第一蒸镀层和第二蒸镀层的透过率值各不相同。

10.如权利要求2所述的包括覆盖层间边界的蒸镀层的半导体制造用部件，其特征在于，所述第一蒸镀层、第二蒸镀层或它们的多个层的透过率值各不相同。

11.如权利要求1所述的包括覆盖层间边界的蒸镀层的半导体制造用部件，其特征在于，所述半导体制造用部件为等离子处理装置部件，包括选自由环、电极部及导体组成的组中的至少一种。

12.一种包括覆盖层间边界的蒸镀层的半导体制造用部件的制造方法，其特征在于，包括：

准备母材的步骤；

通过化学气相蒸镀法，在所述母材上形成第一蒸镀层的步骤；

通过化学气相蒸镀法，在所述第一蒸镀层上形成第二蒸镀层的步骤；

第一次加工步骤；

形成第三蒸镀层的步骤；以及

第二次加工步骤，

所述第一蒸镀层、所述第二蒸镀层及第三蒸镀层各自包含SiC。

13.如权利要求12所述的包括覆盖层间边界的蒸镀层的半导体制造用部件的制造方法，其特征在于，形成所述第一蒸镀层的步骤和形成所述第二蒸镀层的步骤的蒸镀气体流量及蒸镀气体组成相同。

14.如权利要求12所述的包括覆盖层间边界的蒸镀层的半导体制造用部件的制造方法，其特征在于，形成所述第三蒸镀层的步骤的蒸镀气体供给量为形成所述第一蒸镀层及第二蒸镀层的步骤的蒸镀气体供给量的30％至80％。